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Schalt-Fototransistor VTT9814FH
für die FahrzeugtechnikSilizium

Schalt-Fototransistor - VTT9814FH - Excelitas Technologies - PCO - für die Fahrzeugtechnik / Silizium
Schalt-Fototransistor - VTT9814FH - Excelitas Technologies - PCO - für die Fahrzeugtechnik / Silizium
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Eigenschaften

Technologie
Schalt
Weitere Eigenschaften
Silizium, für die Fahrzeugtechnik
Strom

Min: 0,08 mA

Max: 0,12 mA

Spannung

5 V

Beschreibung

Übersicht
Der VTT9814FH ist ein Silizium‑Phototransistor in einem flachen T 1¾ End‑Looking‑Gehäuse mit IR‑Sperre. Er liefert eine ausgeprägte Antwort im sichtbaren Spektralbereich (450–700 nm) und ist eine RoHS‑konforme Alternative zu Cadmium‑sulfid‑Fotowiderständen (CdS).

Details
Das Bauteil integriert den erprobten VTT‑Silizium‑Phototransistor‑Chip mit einer in das Epoxid‑Gehäuse eingebrachten IR‑Sperrfunktion. Es ergibt sich eine enge Lichtstromtoleranz für konstante Leistung. Typischer Einsatzbereich zur Umgebungslichtsteuerung: ca. 500–1000 lux (50–100 fc).

Eigenschaften & Vorteile
  • Reaktion auf sichtbares Licht mit im Gießharz integriertem IR‑Blocker
  • Niedriger Dunkelstrom für zuverlässige Erkennung bei schwachem Licht
  • RoHS‑konforme Alternative zu CdS‑Fotowiderständen

Anwendungen
  • Schaltung und Steuerung der Straßenbeleuchtung
  • Innen‑ und Außenbeleuchtungssteuerung (Dämmerungs‑/Tageslichtschalter)
  • Dimmung von Fahrzeug‑Scheinwerfern
  • Kontrast‑ und Hintergrundbeleuchtungssteuerung von Displays
  • Energiesparende Beleuchtungssysteme

Technische Daten
  • Aktive Fläche: 0,192 mm²
  • Kurzschlussstrom: 80–120 µA (bei 100 fc, 2850 K)
  • Dunkelstrom: ≤50 nA (VCE = 5 V)
  • Spektraler Bereich: 450–700 nm
  • Maximale spektrale Empfindlichkeit: 585 nm
  • Sensitivität bei Spitzenwellenlänge: typ. 7 A/W
  • Winkelabhängigkeit: ±50° (50% Antwort)
  • Maximale Löttemperatur: 260 °C

Kataloge

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Messen

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electronica Munich 2026
electronica Munich 2026

10-13 Nov. 2026 Munich (Deutschland) Halle B4 - Stand 302

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