Lawinenfotodioden-Modul (APD) C30645 series

Produktübersicht
Die Serie C30645 umfasst großflächige InGaAs-Lawinendiode (APD) mit einer aktiven Fläche von 80 µm, ausgelegt für den Wellenlängenbereich 1000–1700 nm. Verfügbar in hermetischen TO-18- und TO-46-Gehäusen, Keramikträgern und SMD-Ausführungen, bieten diese APDs hohe Responsivität bei 1550 nm und eine optionale niederrauschende Variante für Hochgeschwindigkeits-Faser- und Sensingsysteme.

Anwendungen und Vorteile
Für OEMs und Systemintegratoren entwickelt, kombiniert die C30645-Serie Bandbreite und Rauschverhalten, um das Signal-zu-Rausch-Verhältnis (SNR) in anspruchsvollen Anwendungen zu verbessern.

• LiDAR und augensichere Entfernungsmessung — größere Reichweite mit Niedrig-Rausch-Varianten
• Coherent OTDR und verteiltes Fasersensing (DTS, DAS) — verbesserte Empfindlichkeit für Raman- oder rückgestreute Signale
• Hochgeschwindigkeits-Telekommunikationsempfänger und optische Messgeräte — breite Bandbreite und schnelle Anstiegs-/Abfallzeiten

Modelle und Gehäuseoptionen

• C30645ECERH | Keramikträger | Fenster: N/A | Öffnung: N/A
• C30645EH | TO-18 (2-polig) | Fenster: Silizium | Öffnung: Klein (AR-Option)
• C30645EH-1 | TO-18 (2-polig) | Fenster: Glas | Öffnung: Groß (AR-Option)
• C30645EH-2 | TO-46 (3-polig) | Fenster: siehe Tabelle | Hinweis: 3 = Masseanschluss
• C30645EH-7 | TO-18 (2-polig) | Fenster: Silizium | Öffnung: Klein | Niedrigrausch-Option
• C30645EH-27 | TO-46 (3-polig) | Fenster: Glas | Öffnung: Groß | Niedrigrausch, 3 = Masseanschluss
• C30645L-080 | SMD | Fenster: Glas | Öffnung: N/A
• C30645L-080-1 | SMD | Fenster: Silizium | Öffnung: N/A
• C30645L-080-7 | SMD | Fenster: Glas | Öffnung: N/A | Niedrigrausch-Option
• C30645L-080-17 | SMD | Fenster: Silizium | Öffnung: N/A

Hinweise
Hinweis 1: Glasfenster sind im sichtbaren und IR-Bereich durchlässig; Siliziumfenster blockieren sichtbares Licht bis ca. 1,1 µm.
Hinweis 2: AR-beschichtete Fensteroption zur Reduktion von Reflexionen.

Elektrische / optische Spezifikationen

• Aktive Fläche: 80 µm
• Spektralbereich: 1000–1700 nm
• Typische Responsivität @1550 nm: 9,3 A/W
• Typ. Anstiegs-/Abfallzeit: 0,3 ns
• Minimale Bandbreite (f3dB): 1000 MHz
• Kapazität: typ. 1,25 pF (Standard), 1,45 pF (SMD)
• Dunkelstrom (typ.): 2,5 nA (Standard), 1 nA (SMD); max: 15 nA (Standard), 5 nA (SMD)
• Dunkelrauschen (typ.): 0,2 pA/√Hz (Standard); Niedrigrausch: 0,1 pA/√Hz
• NEP (typ.): 25 fW/√Hz (Standard); Niedrigrausch: 11 fW/√Hz
• Betriebsverstärkung (M): min 10, typ. 20
• Durchbruchsspannung (V_BD): min 45 V, typ. 50 V, max 70 V
• Temperaturkoeffizient von V_BD: typ. 0,14 V/°C, max 0,2 V/°C

Hauptmerkmale

• Aktive Fläche 80 µm für hohe Sammelwirkung
• Optimiert für 1000–1700 nm, geeignet für Faser- und eye-safe-Wellenlängen
• Niedrigrausch-Option für erhöhte Reichweite und Empfindlichkeit
• Mehrere Gehäuseoptionen: TO-18, TO-46, Keramikträger, SMD
• Hohe Bandbreite und sub-ns Anstiegs-/Abfallzeiten für Hochgeschwindigkeitssysteme
• Niedrige Kapazität, geeignet für schnelle Detektor-Frontends