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Avalanche-Fotodiode C30737MH-230-90N
LIDARTop Viewwellenlängenempfindlich

Avalanche-Fotodiode - C30737MH-230-90N - Excelitas Technologies - PCO - LIDAR / Top View / wellenlängenempfindlich
Avalanche-Fotodiode - C30737MH-230-90N - Excelitas Technologies - PCO - LIDAR / Top View / wellenlängenempfindlich
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Eigenschaften

Merkmal
Avalanche, LIDAR, Top View, wellenlängenempfindlich, Silizium, Infrarot
Installierung
chip on carrier

Beschreibung

Produktübersicht
Die Silizium-Avalanche-Photodiode C30737MH-230-90N (Si APD) verfügt über einen aktiven Durchmesser von 230 µm und ist für eine verstärkte Empfindlichkeit bei 900 nm optimiert. Sie wird in einem leadless laminated carrier (LLC) mit der Option 'MH' für kompakte Top-Looking-Integration geliefert.

Hauptmerkmale
  • Hohe Empfindlichkeit zwischen 500 und 1000 nm, optimiert bei 900 nm
  • Niedriges Rauschen und sehr schnelle Anstiegszeiten mit einer Frequenzantwort über 380 MHz
  • Aktiver Durchmesser 230 µm für effiziente Lichtsammlung
  • Leadless Laminated Carrier-Option 'MH' für kompakte Montage

Anwendungen
  • LiDAR-Systeme
  • Laser-Entfernungsmessung
  • Sicherheits- und Scan-Systeme
  • Kostensensible Detektionsanwendungen mit hoher Leistung

Technische Daten
  • Aktiver Durchmesser: 230 µm
  • Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 900 nm
  • Durchbruchsspannung (Vbd): 180–260 V (Binning verfügbar)
  • Temperaturkoeffizient von Vop für konstantes M: 1,3 V/°C
  • Verstärkung: 100 @ 900 nm
  • Responsivität: 60 A/W bei 900 nm
  • Dunkelstrom (Id): typ. 0,05 nA, max <0,5 nA
  • Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
  • Kapazität: 0,6 pF
  • Anstiegs-/Abfallzeit: 0,9 ns (Rload = 50 Ω)
  • Grenzfrequenz: 380 MHz
  • Lagerungstemperatur: -50 °C bis +100 °C
  • Betriebstemperatur: -40 °C bis +85 °C
  • Gehäuse: 2 x 1,75 mm Top-looking FR4 Epoxy, Leadless Laminated Carrier (LLC)

Kataloge

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Messen

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electronica Munich 2026
electronica Munich 2026

10-13 Nov. 2026 Munich (Deutschland) Halle B4 - Stand 302

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