Avalanche, LIDAR, Top View, wellenlängenempfindlich, Silizium, Infrarot
Installierung
chip on carrier
Beschreibung
Produktübersicht Die Silizium-Avalanche-Photodiode C30737MH-230-90N (Si APD) verfügt über einen aktiven Durchmesser von 230 µm und ist für eine verstärkte Empfindlichkeit bei 900 nm optimiert. Sie wird in einem leadless laminated carrier (LLC) mit der Option 'MH' für kompakte Top-Looking-Integration geliefert.
Hauptmerkmale
Hohe Empfindlichkeit zwischen 500 und 1000 nm, optimiert bei 900 nm
Niedriges Rauschen und sehr schnelle Anstiegszeiten mit einer Frequenzantwort über 380 MHz
Aktiver Durchmesser 230 µm für effiziente Lichtsammlung
Leadless Laminated Carrier-Option 'MH' für kompakte Montage
Anwendungen
LiDAR-Systeme
Laser-Entfernungsmessung
Sicherheits- und Scan-Systeme
Kostensensible Detektionsanwendungen mit hoher Leistung
Technische Daten
Aktiver Durchmesser: 230 µm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 900 nm
Durchbruchsspannung (Vbd): 180–260 V (Binning verfügbar)
Temperaturkoeffizient von Vop für konstantes M: 1,3 V/°C
Verstärkung: 100 @ 900 nm
Responsivität: 60 A/W bei 900 nm
Dunkelstrom (Id): typ. 0,05 nA, max <0,5 nA
Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
Kapazität: 0,6 pF
Anstiegs-/Abfallzeit: 0,9 ns (Rload = 50 Ω)
Grenzfrequenz: 380 MHz
Lagerungstemperatur: -50 °C bis +100 °C
Betriebstemperatur: -40 °C bis +85 °C
Gehäuse: 2 x 1,75 mm Top-looking FR4 Epoxy, Leadless Laminated Carrier (LLC)
* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.
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