ProduktübersichtDie C30659-Serie enthält eine Lawinenphotodiode (APD) aus Silizium (Si) oder InGaAs mit einem hybriden Vorverstärker im selben hermetisch verschlossenen TO-8-Gehäuse, um einen Betrieb mit extrem niedrigem Rauschen zu ermöglichen. Das Gerät C30659-1550-R2AH verfügt über eine InGaAs-APD C30662EH, optimiert für 1550 nm.
FunktionenDie C30659-Serie verwendet ein invertierendes Verstärkerdesign mit einem Emitterfolger als Ausgangspufferstufe. Die in diesen Geräten eingesetzten Si-APDs sind identisch mit denen der Produkte C30817EH, C30902EH, C30954EH und C30956EH, während die InGaAs-APDs in den Produkten C30645EH und C30662EH verwendet werden. Diese Detektoren bieten eine sehr gute Empfindlichkeit zwischen 830 und 1550 nm sowie sehr schnelle Anstiegs- und Abfallzeiten über alle Wellenlängen. Der Vorverstärkerteil des Moduls verwendet ein sehr rauscharmes GaAs-FET-Frontend, das für den Betrieb bei höherer Transimpedanz als unsere Standardserie C30950 ausgelegt ist.
Technische Daten- Systembandbreite: 50 MHz
- Extrem niedrige rauschäquivalente Leistung (NEP):
- 150 fW/√Hz bei 1300 nm
- 130 fW/√Hz bei 1550 nm
- Spektraler Empfindlichkeitsbereich: Maximum bei 1550 nm
- Typischer Leistungsverbrauch: 150 mW
- Betriebsspannungen des Verstärkers: ±5 V
- 50 Ω AC-Lastfähigkeit (AC: gekoppelt)
- Hermetisch verschlossenes TO-8-Gehäuse
- Hohe Zuverlässigkeit