Wellenlängenempfindlicher Fotodiode C30737LH-500-80N

SiliziumAvalancheInfrarot

Beschreibung: Der C30737LH-500-80N ist eine Silizium-Avalanche-Photodiode (Si APD) mit einem aktiven Durchmesser von 500 µm und verstärkter Empfindlichkeit bei ca. 800 nm. Geliefert im leadless ceramic carrier (LCC), ist sie für schnelle Detektion und hohe Responsivität vom sichtbaren bis zum nahen Infrarot ausgelegt.

Hauptmerkmale:

• Hohe Responsivität von 500 nm bis 1000 nm
• Niedriges Rauschen und extrem schnelle Anstiegszeiten; Frequenzgang über 1,3 GHz
• Aktiver Durchmesser 500 µm, für maximale Empfindlichkeit bei 800 nm optimiert
• Leadless-Ceramic-Carrier-Option ("LH") für kompakte SMD-Kompatibilität

Anwendungen:

• LiDAR-Systeme
• Laser-Entfernungsmessung
• Sicherheits- und Scan-Instrumente
• Kostensensitive Anwendungen, die einen leistungsfähigen Detektor benötigen

Technische Daten:

• Aktiver Durchmesser: 500 µm
• Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 800 nm
• Durchbruchspannung Vbd: 120–210 V (Binning verfügbar)
• Temperaturkoeffizient von Vop für konstantes M: 0,5 V/°C
• Verstärkung: 100 bei 800 nm
• Responsivität: 50 A/W bei 800 nm
• Dunkelstrom Id: 0,1–1 nA
• Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
• Kapazität: 2 pF
• Anstiegs-/Abfallzeit: 0,3 ns (R Last = 50 Ω)
• Grenzfrequenz: 1,3 GHz
• Lagerungstemperatur: -50 °C bis +100 °C
• Betriebstemperatur: -40 °C bis +85 °C
• Gehäuse: 3 x 3 mm Glasfenster, leadless ceramic carrier (LCC)
• Fenster: Standard