ProduktübersichtDer C30617L-100 ist eine InGaAs PIN-Photodiode mit einem aktiven Chipdurchmesser von 100 μm in einem keramischen SMD-Gehäuse mit Fenster. Sie bietet hohe Quantenwirkungsgrad von 960 nm bis 1700 nm, niedrige Kapazität für erhöhte Bandbreite sowie hohen Serienwiderstand für verbesserte Empfindlichkeit, Linearität und Gleichmäßigkeit (≤2%) über die aktive Fläche.
Anwendungen- Hochvolumige Consumer-Anwendungen
- Telekommunikation
- Messtechnik / Instrumentierung
- Hochgeschwindigkeits-Schalter
- Optische Zeitreferenz für Laser-Entfernungsmesser
- LiDAR
Merkmale & Vorteile- Bandbreite bis zu 3,5 GHz
- Hohe Responsivität bei 1300 nm und 1550 nm
- Aktive Flächendurchmesser: 100 μm
- Niedrige Kapazität (Typ. 0,6 pF)
- Kompaktes keramisches SMD-Gehäuse mit Fenster
- Anpassbar (z. B. optische Filter)
- RoHS-konform
Technische Daten- Durchbruchspannung: 60 V
- Betriebsspannung: 5 V
- Kapazität: Typ. 0,6 pF
- Dunkelstrom: Typ. <1,0 nA
- Dunkelrauschen: Typ. <0,03 pA/√Hz
- Gehäuse: keramisches SMD mit Fenster
- Wellenlängenbereich / Hoher Quantenwirkungsgrad: 960 nm bis 1700 nm
- Hohe Responsivität bei 1300 nm und 1550 nm
- Responsivität: Typ. 1,05 A/W @ 1550 nm
- Anstiegs-/Abfallzeit: Typ. 0,07 ns
- Aktiver Flächendurchmesser: 100 μm
- Linearität und Gleichmäßigkeit: ≤2% über die aktive Fläche