ProduktübersichtDer C30659-1060E-R8BH ist ein Silizium-Avalanche-Photodiode (Si APD) Empfänger mit integriertem Hybridpreamplifier in einem hermetisch verschlossenen TO-8-Gehäuse. Das Gerät verwendet das APD-Element C30954EH, optimiert für 1060 nm, mit einem aktiven Durchmesser von 0,8 mm und bietet rauscharme Detektion sowie einen Emitter-Follower als Ausgangspuffer.
Leistung und KonstruktionsdetailsDas Modul verfügt über ein sehr niederrauschendes GaAs-FET-Front-End und eine invertierende Verstärker-Topologie. APD-Elemente der Familie (C30954EH u. a.) liefern gute Empfindlichkeit im Bereich 400–1100 nm, mit beobachteter Leistung bis 1550 nm bei verwandten Detektoren. Der Vorverstärker ist für eine höhere Transimpedanz als die Standardserie C30950 ausgelegt und ermöglicht schnelle Anstiegs-/Abfallzeiten sowie Systembandbreiten bis 200 MHz.
Spezifikationen- Serie: C30659
- Teilenummer: C30659-1060E-R8BH
- APD-Element: C30954EH (Silizium-APD), optimierte Wellenlänge 1060 nm
- Aktiver Durchmesser: 0,8 mm
- Systembandbreite: 200 MHz
- NEP: 55 fW/√Hz @ 900 nm; 100 fW/√Hz @ 1064 nm
- Spektrale Empfindlichkeit: 400–1100 nm (gute Reaktion 830–1550 nm in der Familie)
- Preamplifier: Hybrid-Preamplifier mit sehr niederrauschendem GaAs-FET-Front-End
- Verstärker-Topologie: invertierender Verstärker mit Emitter-Follower-Ausgangspuffer
- Betriebsspannungen: ±5 V
- Ausgangslastfähigkeit: 50 Ω (AC-gekoppelt)
- Typischer Stromverbrauch: 150 mW
- Gehäuse: hermetisch dichtes TO-8