Silizium-Fotodiode VTB8441H

InfrarotUVwellenlängenempfindlich

Produktübersicht
Der VTB8441H ist eine blauverstärkte Silizium‑Fotodiode in einem 8 mm eingelassenen Keramikgehäuse mit transparenter Epoxid‑Schutzschicht. Sie bietet eine verstärkte Empfindlichkeit im blauen Spektralbereich, sehr hohen Shuntwiderstand und geringen Dunkelstrom. Das Bauteil verfügt über eine aktive Fläche von 5,16 mm² und eine spektrale Empfindlichkeit von 320 nm bis 1100 nm. Als P‑on‑N Planar‑Fotodiode ausgelegt, ist sie für den sichtbaren Bereich optimiert und primär für den photovoltaischen Betrieb vorgesehen; ein kleiner Sperrspannungsbetrieb ist möglich. Der hohe Shuntwiderstand reduziert Offsetfehler in hochverstärkenden Transimpedanzverstärkerschaltungen.

Eigenschaften & Vorteile

• Spektralbereich von UV bis Nah‑IR
• 1 %–2 % Linearität über 7 bis 9 Dekaden
• Sehr geringer Dunkelstrom
• Sehr hoher Shuntwiderstand
• RoHS‑konform

Anwendungen

• UV‑ und Blaulichtdetektion
• Belichtungsmesser
• Flammenüberwachung
• Photometrie

Technische Daten

• Aktive Fläche = 5,16 mm²
• Spektralbereich = 320 nm bis 1100 nm
• Maximale spektrale Empfindlichkeit = 920 nm
• Empfindlichkeit bei Peak = Typ. 0,5 A/W
• Kurzschlussstrom = Minimum 35 µA bei 100 fc, 2850 K
• Dunkelstrom = Maximum 100 pA bei 2 V Sperrspannung
• Junktionskapazität = Typ. 1,0 nF bei 0 V
• Winkelabhängigkeit = ±50° bei 50 % Antwort
• Gehäuse = 8 mm eingelassenes Keramikgehäuse mit transparenter Epoxyschutzschicht
• Konstruktion = P‑on‑N Silizium Planar‑Fotodiode, blauverstärkende Beschichtung, sehr hoher Shuntwiderstand, geringer Dunkelstrom