Silizium-Fotodiode FND-100GH

PIN

Produktübersicht
Der FND-100GH ist eine großflächige Silizium-PIN-Photodiode mit einem aktiven Durchmesser von 2,5 mm in einem hermetisch verschlossenen TO-5-Gehäuse mit Glasfenster. Sie bietet hohe spektrale Empfindlichkeit von 400 nm bis 1150 nm mit einem Maximum bei 920 nm. Das Bauteil verfügt über ultraschnelle Anstiegs- und Abfallzeiten, niedrige Noise Equivalent Power (NEP) und geringe Betriebsspannung, geeignet für hochgeschwindigkeits optische Detektion.

Eigenschaften

• Großflächige Silizium-PIN-Photodiode
• TO-5 hermetisch gekapseltes Gehäuse mit Glasfenster
• Chip mit 2,5 mm aktivem Durchmesser
• Ultraschnelle zeitliche Reaktion (Anstiegs-/Abfallzeiten)
• Isolierter Photodiodenchip zur Reduzierung von Übersprechen

Anwendungen

• Lasererkennung und -überwachung
• Laserleistungsregelung und Metrologie
• Schnelle Pulserkennung in der Halbleiterinspektion
• Optische Messtechnik und Sensorik
• Hochgeschwindigkeits optische Schaltanwendungen

Technische Daten

• Modell / Serie: FND-100 Serie (FND-100GH)
• Detektortyp: Silizium PIN-Photodiode (großflächig, isolierter Chip)
• Aktiver Durchmesser: 2,5 mm
• Gehäuse: TO-5, hermetisch, Glasfenster
• Spektrale Empfindlichkeit: 400 nm bis 1150 nm
• Maximale Empfindlichkeit: 920 nm
• Zeitliches Ansprechverhalten: ultraschnelle Anstiegs- und Abfallzeiten
• Noise Equivalent Power (NEP): niedrig
• Betriebsspannung: niedrig