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Lawinenfotodioden-Modul (APD) C30737LH-230-81N

Lawinenfotodioden-Modul (APD) - C30737LH-230-81N - Excelitas Technologies - PCO
Lawinenfotodioden-Modul (APD) - C30737LH-230-81N - Excelitas Technologies - PCO
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Beschreibung

Produktübersicht
Die Silizium-Avalanche-Photodiode C30737LH-230-81N (Si APD) bietet eine verstärkte Empfindlichkeit bei 800 nm, einen aktiven Durchmesser von 230 µm und einen 635-nm-Bandpass auf der Glasfenster. Geliefert im leadless ceramic carrier (LCC) mit 3×3 mm Fenster, ist sie für hochgeschwindigkeits Detektion in kompakten Baugruppen optimiert.

Hauptmerkmale
  • Optisches Bandpassfilter, zentriert bei 635 nm
  • Niedriges Rauschen und sehr schnelle Anstiegszeiten über alle Wellenlängen; Frequenzgang > 1,5 GHz
  • Aktiver Durchmesser 230 µm, optimiert für 800 nm
  • Verstärkung ≈ 100 @ 635 nm; Empfindlichkeit 35 A/W bei 800 nm
  • Leadless ceramic carrier (LCC) mit 3×3 mm Glasfenster

Anwendungen
  • LiDAR und Time-of-Flight-Sensoren
  • Laser-Entfernungsmessung und Telemetrie
  • Sicherheits- und Scansysteme
  • Kostensensitive, leistungsstarke Detektormodule

Spezifikationen
Aktiver Durchmesser: 230 µm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 635 nm
Durchbruchspannung Vbd: 120–210 V (Binning verfügbar)
Temperaturkoeffizient von Vop bei konstantem M: 0,5 V/°C
Verstärkung: 100 @ 635 nm
Empfindlichkeit: 35 A/W bei 800 nm
Dunkelstrom Id: 0,05–0,5 nA
Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
Kapazität: 1 pF
Anstiegs-/Abfallzeit: 0,2 ns (Rload = 50 Ω)
Durchtrittsfrequenz: 1,5 GHz
Lagerungstemperatur: -50 °C bis +100 °C
Betriebstemperatur: -40 °C bis +85 °C
Gehäuse: 3×3 mm Glasfenster, leadless ceramic carrier (LCC)
Fenster: 635 nm Bandpassfilter

Technische Daten
  • Aktiver Durchmesser: 230 µm
  • Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 635 nm
  • Durchbruchspannung Vbd: 120–210 V (Binning verfügbar)
  • Temperaturkoeffizient von Vop bei konstantem M: 0,5 V/°C
  • Verstärkung: 100 @ 635 nm
  • Empfindlichkeit: 35 A/W bei 800 nm
  • Dunkelstrom Id: 0,05–0,5 nA
  • Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
  • Kapazität: 1 pF
  • Anstiegs-/Abfallzeit: 0,2 ns (Rload = 50 Ω)
  • Durchtrittsfrequenz: 1,5 GHz
  • Lagerungstemperatur: -50 °C bis +100 °C
  • Betriebstemperatur: -40 °C bis +85 °C
  • Gehäuse: 3×3 mm Glasfenster, leadless ceramic carrier (LCC)
  • Fenster: 635 nm Bandpassfilter

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electronica Munich 2026
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10-13 Nov. 2026 Munich (Deutschland) Halle B4 - Stand 302

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