ProduktübersichtDie Silizium-Avalanche-Photodiode C30737LH-230-81N (Si APD) bietet eine verstärkte Empfindlichkeit bei 800 nm, einen aktiven Durchmesser von 230 µm und einen 635-nm-Bandpass auf der Glasfenster. Geliefert im leadless ceramic carrier (LCC) mit 3×3 mm Fenster, ist sie für hochgeschwindigkeits Detektion in kompakten Baugruppen optimiert.
Hauptmerkmale- Optisches Bandpassfilter, zentriert bei 635 nm
- Niedriges Rauschen und sehr schnelle Anstiegszeiten über alle Wellenlängen; Frequenzgang > 1,5 GHz
- Aktiver Durchmesser 230 µm, optimiert für 800 nm
- Verstärkung ≈ 100 @ 635 nm; Empfindlichkeit 35 A/W bei 800 nm
- Leadless ceramic carrier (LCC) mit 3×3 mm Glasfenster
Anwendungen- LiDAR und Time-of-Flight-Sensoren
- Laser-Entfernungsmessung und Telemetrie
- Sicherheits- und Scansysteme
- Kostensensitive, leistungsstarke Detektormodule
SpezifikationenAktiver Durchmesser: 230 µm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 635 nm
Durchbruchspannung Vbd: 120–210 V (Binning verfügbar)
Temperaturkoeffizient von Vop bei konstantem M: 0,5 V/°C
Verstärkung: 100 @ 635 nm
Empfindlichkeit: 35 A/W bei 800 nm
Dunkelstrom Id: 0,05–0,5 nA
Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
Kapazität: 1 pF
Anstiegs-/Abfallzeit: 0,2 ns (Rload = 50 Ω)
Durchtrittsfrequenz: 1,5 GHz
Lagerungstemperatur: -50 °C bis +100 °C
Betriebstemperatur: -40 °C bis +85 °C
Gehäuse: 3×3 mm Glasfenster, leadless ceramic carrier (LCC)
Fenster: 635 nm Bandpassfilter
Technische Daten- Aktiver Durchmesser: 230 µm
- Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 635 nm
- Durchbruchspannung Vbd: 120–210 V (Binning verfügbar)
- Temperaturkoeffizient von Vop bei konstantem M: 0,5 V/°C
- Verstärkung: 100 @ 635 nm
- Empfindlichkeit: 35 A/W bei 800 nm
- Dunkelstrom Id: 0,05–0,5 nA
- Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
- Kapazität: 1 pF
- Anstiegs-/Abfallzeit: 0,2 ns (Rload = 50 Ω)
- Durchtrittsfrequenz: 1,5 GHz
- Lagerungstemperatur: -50 °C bis +100 °C
- Betriebstemperatur: -40 °C bis +85 °C
- Gehäuse: 3×3 mm Glasfenster, leadless ceramic carrier (LCC)
- Fenster: 635 nm Bandpassfilter