Infrarot-Fotodiode C30737LH-500-83N

AvalancheSiliziumwellenlängenempfindlich

Produktübersicht
Der C30737LH-500-83N Silizium-Avalanche-Photodiode (Si APD) verfügt über einen aktiven Durchmesser von 500 µm, eine verstärkte Empfindlichkeit bei 800 nm und einen optischen 650 nm Bandpass. Geliefert im leadless ceramic carrier (LCC), Option 'LH', eignet sich das Bauteil für kompakte OEM-Integrationen mit Bedarf an schmalbandiger Empfindlichkeit und schneller Zeitantwort.

Hauptmerkmale

• Hohe Responsivität mit integriertem 650 nm Bandpassfilter
• Geringes Rauschen und schnelle Anstiegszeiten über alle Wellenlängen; Frequenzgang > 1,3 GHz
• Großer aktiver Durchmesser 500 µm, optimiert für das nahe Infrarot (800 nm)
• Leadless Ceramic Carrier (LCC) Option 'LH' für kompakte Bestückung
• Verstärkung ≈ 100 bei 650 nm, hohe Responsivität (35 A/W bei 650 nm)

Anwendungen

• LiDAR und Time-of-Flight-Sensorik
• Laser-Entfernungsmessung und Telemetrie
• Sicherheits- und Scansysteme
• OEM-Detektoren für leistungsfähige, kosteneffiziente Photonendetektion

Technische Daten

• Aktiver Durchmesser: 500 µm
• Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 650 nm
• Durchbruchspannung Vbd: 120–210 V (Binning verfügbar)
• Temperaturkoeffizient von Vop für konstantes M: 0,5 V/°C
• Verstärkung: 100 @ 650 nm
• Responsivität: 35 A/W bei 650 nm
• Dunkelstrom Id: <1 nA (typ. 0,1 nA)
• Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
• Kapazität: 2 pF
• Anstiegs-/Abfallzeit: 0,3 ns (Rload = 50 Ω)
• Grenzfrequenz: 1,3 GHz
• Lagerungstemperatur: -50 °C bis +100 °C
• Betriebstemperatur: -40 °C bis +85 °C
• Gehäuse: 3 × 3 mm Glasfenster, leadless ceramic carrier (LCC)
• Fenster: 650 nm Filter