Silizium-Fotodiode VTP9812FH

wellenlängenempfindlich

Produktübersicht
Die Silizium-Photodiode VTP9812FH wird in einem infrarotblockierenden flachen T-1¾-Gehäuse geliefert. Sie verfügt über eine aktive Fläche von 1,548 mm² und eine für den sichtbaren Bereich (400–700 nm) ausgelegte spektrale Empfindlichkeit mit einem Maximum bei 580 nm. Das Bauteil zeigt sehr geringen Dunkelstrom, hohen Shuntwiderstand und geringe Junction-Kapazität für schnelle Ansprechzeiten. Durch Anlegen einer Sperrspannung lässt sich die Kapazität verringern und die Geschwindigkeit erhöhen; bei nicht kritischer Geschwindigkeit ist Betrieb im photovoltaischen Modus möglich.

Eigenschaften & Vorteile

• Spektrale Empfindlichkeit nahe dem menschlichen Auge (sichtbarer Bereich)
• 1–2% Linearität über 7–9 Dekaden
• Niedriger Dunkelstrom
• Hoher Shuntwiderstand
• Niedrige Junction-Kapazität für schnelle Reaktion
• Hohe Sperrspannungstoleranz
• RoHS-konform

Anwendungen

• Innen- und Außenlicht-Erfassung und -Schaltung
• Dimmung von Fahrzeug-Scheinwerfern
• Kontraststeuerung von Displays
• Beleuchtungssteuerungen zur Energieeinsparung

Technische Daten

• Aktive Fläche: 1,548 mm²
• Kurzschlussstrom: Min. 0,7 µA bei 100 fc, 2850 K
• Dunkelstrom: Max. 10 nA bei 10 V Sperrspannung
• Junction-Kapazität: Max. 150 pF bei 10 V Sperrspannung
• Spektraler Bereich: 400 nm bis 700 nm
• Spektrales Maximum: 580 nm
• Empfindlichkeit bei Wellenlängenmaximum: Typ. 0,034 A/W
• Winkelabhängigkeit: ±50° bei 50% Antwort
• Löttemperatur: Max. 260°C