Fotodiode / Top View C30737MH-230-80N

SiliziumLIDARAvalanche

Produktübersicht: Der C30737MH-230-80N Silizium-Avalanche-Photodiode (Si APD) bietet eine verstärkte Empfindlichkeit bei 800 nm mit einem aktiven Durchmesser von 230 µm im Leadless Laminated Carrier (LLC). Entwickelt für hochgeschwindigkeitsfähige optische Detektion mit geringem Rauschen und GHz-Bandbreite.

Hauptmerkmale:

• Hohe Responsivität im Bereich 500–1000 nm, Maximum bei 800 nm
• Niedriges Rauschen, schnelle Anstiegszeiten und Frequenzantwort > 1,5 GHz
• 230 µm aktiver Durchmesser, optimiert für 800 nm
• Leadless Laminated Carrier (LLC) Option — MH-Variante

Anwendungen:

• LiDAR und Time-of-Flight-Sensorik
• Laser-Entfernungsmessung
• Sicherheits- und Scansysteme
• Anwendungen, die leistungsfähige, kosteneffiziente Detektoren erfordern

Technische Daten:

• Aktiver Durchmesser: 230 µm
• Wellenlänge der Spitzenempfindlichkeit: 800 nm
• Durchbruchspannung (Vbd): 120–210 V (Binning verfügbar)
• Temperaturkoeffizient von Vop für konstantes M: 0,5 V/°C
• Verstärkung (Gain): 100 @ 800 nm
• Responsivität: 50 A/W @ 800 nm
• Dunkelstrom (Id): 0,05–0,5 nA
• Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
• Kapazität: 1 pF
• Anstiegs-/Abfallzeit: 0,2 ns (Rload = 50 Ω)
• Grenzfrequenz: 1,5 GHz
• Lagerungstemperatur: -50 °C bis +100 °C
• Betriebstemperatur: -40 °C bis +85 °C
• Gehäuse: 2 x 1,75 mm top-looking FR4 epoxy, leadless laminated carrier (LLC)