Lawinenfotodioden-Modul (APD) C30817EH

Beschreibung
Die C30817EH Silizium-Avalanche-Photodiode (Si APD) ist ein vielseitiger, schnell arbeitender Detektor mit einer double-diffused Reach-through-Struktur. Sie bietet hohe Empfindlichkeit im Spektralbereich 400–1100 nm, schnelle Anstiegs- und Abfallzeiten (~2 ns) sowie eine Abfallzeit ohne Ausläufer, wodurch die Empfindlichkeit bis ca. 200 MHz stabil bleibt. Das Bauteil ist hermetisch hinter einem flachen Glasfenster in einem modifizierten TO-5 Flachgehäuse versiegelt; Durchmesser der aktiven Fläche: 0,8 mm.

Hauptmerkmale

• Hoher Quanteneffizienz
  • 85 % typisch bei 900 nm
  • 18 % typisch bei 1060 nm
• Spektrale Ansprechbarkeit: 400–1100 nm
• Schnelle Zeitantwort: Anstiegs- und Abfallzeit typ. 2 ns
• Abfallzeit ohne Ausläufer — stabile Leistung bei hohen Modulationsraten
• Hermetisches TO-5 Flachgehäuse mit flachem Glasfenster

Anwendungen

• Lasererkennung und -überwachung
• Optische Distanzmessung und LIDAR-Subsysteme
• Optische Kommunikation und Empfänger
• Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen und gepulste Messungen
• Transitzeitmessungen und Timing

Spezifikationen

• Ansprechvermögen: 75 A/W bei 900 nm
• Ansprechvermögen: 18 A/W bei 1060 nm

Technische Spezifikationen

• Modell: C30817EH
• Detektortyp: Silizium-Avalanche-Photodiode (Si APD)
• Aktiver Spektralbereich: 400–1100 nm
• Durchmesser aktive Fläche: 0,8 mm
• Quanteneffizienz: 85 % typisch bei 900 nm; 18 % typisch bei 1060 nm
• Ansprechvermögen: 75 A/W bei 900 nm; 18 A/W bei 1060 nm
• Zeitverhalten: Anstiegs- und Abfallzeit typ. 2 ns; Abfallzeit ohne Ausläufer
• Modulationsfrequenz: Ansprechvermögen stabil bis ~200 MHz
• Gehäuse: modifiziertes TO-5 Flachgehäuse, hermetisch versiegelt hinter flachem Glasfenster