BeschreibungDer C30642GH-LC ist eine großflächige InGaAs PIN-Photodiode mit einem aktiven Durchmesser von 2,0 mm in einem TO-5-Gehäuse mit flacher Glasfenster-Abdeckung. Sie bietet hohe Quanteneffizienz im Bereich 800–1700 nm, extrem niedrige Kapazität (ca. 50 % gegenüber Standardtypen) für etwa doppelte 3-dB-Bandbreite, hohe Empfindlichkeit, hohen Shuntwiderstand und niedrigen Dunkelstrom. Typische Bauteile zeigen weniger als 1 % Nichtlinearität und eine Gleichmäßigkeit innerhalb von 2 % über die aktive Fläche, geeignet für präzise optische Messungen und Hochgeschwindigkeitsanwendungen.
Merkmale & Vorteile- Extrem niedrige Kapazität für erhöhte Bandbreite
- Hohe Empfindlichkeit bei 1300 nm und 1550 nm
- Große aktive Fläche: Durchmesser 2,0 mm
- Hohe Linearität über großen Dynamikbereich
- Verfügbar in robusten TO-5-Gehäusen mit flachem Glasfenster
- Anpassungsoptionen verfügbar (z. B. integrierte TEC)
- RoHS-konform
Anwendungen- Optische Leistungsmessgeräte und Sensoren
- Faseroptische Prüf- und Messgeräte
- Nahinfrarot (NIR)-Spektroskopie
- Laserstrahl-Profiling-Stationen
- Labor- und Industrieinstrumentierung
- LiDAR-Empfänger und optische Detektionssysteme
Spezifikationen (typische Empfindlichkeit)- 0,20 A/W bei 850 nm
- 0,90 A/W bei 1300 nm
- 1,05 A/W bei 1550 nm
Technische Spezifikationen- Modell: C30642GH-LC
- Detektormaterial: InGaAs PIN
- Aktiver Durchmesser: 2,0 mm
- Gehäuse: TO-5 mit flacher Glasfenster-Abdeckung
- Spektrale Antwort / Bereich hoher Quanteneffizienz: 800 nm bis 1700 nm
- Empfindlichkeit (typisch): 0,20 A/W @ 850 nm; 0,90 A/W @ 1300 nm; 1,05 A/W @ 1550 nm
- Ultra-niedrige Kapazität (~50 % des Standardtyps), resultierend in ca. 2× 3-dB-Bandbreite gegenüber Standardtyp
- Hoher Shuntwiderstand
- Niedriger Dunkelstrom
- Linearität: typische Geräte mit weniger als 1 % Nichtlinearität über die aktive Fläche
- Gleichmäßigkeit: innerhalb 2 % über die aktive Fläche
- Verfügbare Anpassungen: z. B. integrierte TEC-Optionen
- Konformität: RoHS-konform