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Wellenlängenempfindlicher Fotodiode C30642GH-LC
LIDARInGaAsInfrarot

Wellenlängenempfindlicher Fotodiode - C30642GH-LC - Excelitas Technologies - PCO - LIDAR / InGaAs / Infrarot
Wellenlängenempfindlicher Fotodiode - C30642GH-LC - Excelitas Technologies - PCO - LIDAR / InGaAs / Infrarot
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Eigenschaften

Merkmal
wellenlängenempfindlich, LIDAR, InGaAs, Infrarot
Installierung
PIN

Beschreibung

Beschreibung
Der C30642GH-LC ist eine großflächige InGaAs PIN-Photodiode mit einem aktiven Durchmesser von 2,0 mm in einem TO-5-Gehäuse mit flacher Glasfenster-Abdeckung. Sie bietet hohe Quanteneffizienz im Bereich 800–1700 nm, extrem niedrige Kapazität (ca. 50 % gegenüber Standardtypen) für etwa doppelte 3-dB-Bandbreite, hohe Empfindlichkeit, hohen Shuntwiderstand und niedrigen Dunkelstrom. Typische Bauteile zeigen weniger als 1 % Nichtlinearität und eine Gleichmäßigkeit innerhalb von 2 % über die aktive Fläche, geeignet für präzise optische Messungen und Hochgeschwindigkeitsanwendungen.

Merkmale & Vorteile
  • Extrem niedrige Kapazität für erhöhte Bandbreite
  • Hohe Empfindlichkeit bei 1300 nm und 1550 nm
  • Große aktive Fläche: Durchmesser 2,0 mm
  • Hohe Linearität über großen Dynamikbereich
  • Verfügbar in robusten TO-5-Gehäusen mit flachem Glasfenster
  • Anpassungsoptionen verfügbar (z. B. integrierte TEC)
  • RoHS-konform


Anwendungen
  • Optische Leistungsmessgeräte und Sensoren
  • Faseroptische Prüf- und Messgeräte
  • Nahinfrarot (NIR)-Spektroskopie
  • Laserstrahl-Profiling-Stationen
  • Labor- und Industrieinstrumentierung
  • LiDAR-Empfänger und optische Detektionssysteme


Spezifikationen (typische Empfindlichkeit)
  • 0,20 A/W bei 850 nm
  • 0,90 A/W bei 1300 nm
  • 1,05 A/W bei 1550 nm


Technische Spezifikationen
  • Modell: C30642GH-LC
  • Detektormaterial: InGaAs PIN
  • Aktiver Durchmesser: 2,0 mm
  • Gehäuse: TO-5 mit flacher Glasfenster-Abdeckung
  • Spektrale Antwort / Bereich hoher Quanteneffizienz: 800 nm bis 1700 nm
  • Empfindlichkeit (typisch): 0,20 A/W @ 850 nm; 0,90 A/W @ 1300 nm; 1,05 A/W @ 1550 nm
  • Ultra-niedrige Kapazität (~50 % des Standardtyps), resultierend in ca. 2× 3-dB-Bandbreite gegenüber Standardtyp
  • Hoher Shuntwiderstand
  • Niedriger Dunkelstrom
  • Linearität: typische Geräte mit weniger als 1 % Nichtlinearität über die aktive Fläche
  • Gleichmäßigkeit: innerhalb 2 % über die aktive Fläche
  • Verfügbare Anpassungen: z. B. integrierte TEC-Optionen
  • Konformität: RoHS-konform

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electronica Munich 2026
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