Avalanche-Fotodiode C30884EH

Silizium

Produktübersicht
Der C30884EH ist eine Silizium-Avalanche-Photodiode (Si APD) mit hoher Modulationsfähigkeit, hoher Empfindlichkeit und schnellen Anstiegs-/Abfallzeiten. Da das Abfallzeitverhalten keine 'tail' aufweist, ist die Empfindlichkeit des Bauteils bis etwa 400 MHz unabhängig von der Modulationsfrequenz. Der Detektor verwendet eine doppelt diffusierte 'reach-through'-Struktur und ist für hohe Empfindlichkeit bei Wellenlängen unter 1000 nm optimiert. Aktiver Durchmesser: 1 mm.

Gehäuse
Der C30884EH ist hermetisch hinter einer flachen Glasfensterscheibe in einem modifizierten, niedrigprofilierten TO-5-Gehäuse versiegelt.

Anwendungen

• Optische Kommunikation
• Laser-Entfernungsmessung
• Hochgeschwindigkeits-Schaltersysteme

Technische Daten / Spezifikationen

• Responsivität: 85% typisch bei 900 nm
• Responsivität: 10% typisch bei 1060 nm
• Gerätetyp: Silizium-Avalanche-Photodiode (Si APD)
• Aktive Fläche / Durchmesser: 1 mm (im Produkttitel angegeben)
• Gehäusetyp: modifizierter, niedrigprofiliger TO-5, hermetisch versiegelt hinter flacher Glasfensterscheibe
• Struktur: doppelt diffundierte 'reach-through'
• Hohe Modulationsfähigkeit; Responsivität unabhängig von der Modulationsfrequenz bis ~400 MHz aufgrund des Fehlens einer 'tail' in der Abfallzeit
• Optimiert für Wellenlängen unter 1000 nm