Silizium-Fotodiode VTB8440BH

wellenlängenempfindlich

Produktbeschreibung
Der VTB8440BH ist eine blauverstärkte Silizium-Photodiode in einem 8 mm versenkten Keramikgehäuse, geschützt durch eine transparente Epoxylage. Ein integrierter IR-Abschwächungsfilter begrenzt die Empfindlichkeit auf den sichtbaren Bereich. Die Photodiode weist sehr hohen Shuntwiderstand und sehr geringen Dunkelstrom auf, geeignet für präzise Lichtmessungen.

Zusätzliche Informationen
Der VTB8440BH bietet eine aktive Fläche von 5,16 mm² und ist für den photovoltaischen Betrieb optimiert; bei Bedarf kann eine geringe Sperrspannung angelegt werden. Der hohe Shuntwiderstand minimiert Offset in Transimpedanzverstärkern mit hohem Verstärkungsfaktor.

Eigenschaften und Vorteile

• Spektrale Antwort im sichtbaren Bereich (330–720 nm)
• 1 %–2 % Linearität über 7 bis 9 Dekaden
• Sehr niedriger Dunkelstrom (≤2 nA bei 2 V Sperrspannung)
• Sehr hoher Shuntwiderstand für geringe Offset
• RoHS-konform

Anwendungen

• Umgebungslichtmessung
• Lichtmessgeräte und Photometrie
• Flammenüberwachung
• Wissenschaftliche und industrielle Photodetektion

Technische Daten

• Aktive Fläche = 5,16 mm²
• Kurzschlussstrom = Min. 4 µA bei 100 fc, 2850 K
• Dunkelstrom = Max. 2 nA bei 2 V Sperrspannung
• Junktionskapazität = Typ. 1,0 nF bei 0 V
• Spektralbereich = 330 nm bis 720 nm
• Maximale spektrale Empfindlichkeit = 580 nm
• Sensitivität bei Spitzenwellenlänge = Typ. 0,29 A/W
• Winkelantwort = ±50° bei 50 % Antwort