Silizium-Fotodiode C30845EH

Infrarotmit Quadrantenwellenlängenempfindlich

Produktübersicht
Der C30845EH ist eine N‑Typ Silizium‑PIN-Quadrant-Photodiode in einem hermetisch verschlossenen TO-8-Gehäuse, ausgelegt für einen breiten Wellenlängenbereich vom nahen UV bis zum nahen IR. Die große aktive Fläche (50 mm², Durchmesser 8 mm) ermöglicht die Positionsbestimmung sowohl von fokussierten als auch defokussierten Strahlen in gepulsten oder CW-Anwendungen.

Merkmale

• Große photosensitive Fläche: 50 mm²
• Niedrige Betriebsspannung (Vop): 45 V
• Hermetisch dichte TO-8-Gehäuse
• Spektrale Ansprechbereich: 400 bis 1100 nm (ausgelegt 300 bis 1100 nm)
• Sehr geringe Quadrant-zu-Quadrant-Trennung: 0,25 mm

Anwendungen / Hinweise
N‑Typ PIN-Quadrant-Photodiode im TO-8-Hermetikgehäuse, geeignet für breitbandige Anwendungen bei niedrigen Lichtpegeln und zur Gewinnung von Positionsinformationen aus fokussierten oder defokussierten Strahlen in gepulsten oder Dauerstrich-Systemen.

Technische Spezifikationen

• Aktiver Durchmesser (mm): 8
• Aktive Fläche (mm²): 50
• Minimale Durchbruchspannung (V): 100
• Typische Kapazität pro Element (pF): 8
• Maximale Kapazität pro Element (pF): 10
• Typischer Dunkelstrom pro Element bei 10 V (nA): 70
• Maximaler Dunkelstrom pro Element bei 10 V (nA): 200
• Typischer Dunkelstrom pro Element bei 45 V (nA): 200
• Maximaler Dunkelstrom pro Element bei 45 V (nA): 700
• Typischer Rauschstrom pro Element bei 900 nm (pA/√Hz): 0,43
• Maximaler Rauschstrom pro Element bei 900 nm (pA/√Hz): 1,80
• Typischer Rauschstrom pro Element bei 1060 nm (pA/√Hz): 1,5
• Maximaler Rauschstrom pro Element bei 1060 nm (pA/√Hz): 6,5
• Typische Anstiegszeit (ns): 6
• Typische Abfallzeit (ns): 10
• Lagerungstemperatur (°C): -60 bis 100
• Betriebstemperatur (°C): -40 bis 80