Silizium-Fotodiode C30808EH

PIN

Produktübersicht
Der C30808EH ist eine Silizium-PIN-Photodiode mit einem aktiven Chipdurchmesser von 2,5 mm in einem hermetisch verschlossenen TO-5-Gehäuse, ausgelegt für den Wellenlängenbereich 300–1100 nm. Die Serie bietet photosensitive Flächen von 0,8 mm² bis 100 mm².

Eigenschaften & Vorteile

• 2,5 mm aktiver Chipdurchmesser
• Antireflexbeschichtung zur Verbesserung der Empfindlichkeit bei 900 nm
• Niedrige Betriebsspannung
• Hermetisch verschlossenes TO-5-Gehäuse
• RoHS-konform

Anwendungen

• Lasererkennungssysteme
• Photometrie
• Datenübertragung
• Messtechnik
• Hochgeschwindigkeitsumschaltung

Spezifikationen (Tabelle)
Durchbruchspannung: >100 V
Kapazität: 5 pF
Dunkelstrom: 30 nA / <150 nA @ Vop
Empfindlichkeit: 0,6 A/W bei 900 nm
Anstiegs-/Abfallzeit: <20 / <20 ns

Technische Spezifikationen

• Aktiver Durchmesser: 2,5 mm
• Wellenlängenbereich: 300–1100 nm
• Gehäuse: Hermetisch verschlossenes TO-5
• Bereich der photosensitiven Fläche (Serie): 0,8 mm² bis 100 mm²
• Durchbruchspannung: >100 V
• Kapazität: 5 pF
• Dunkelstrom: 30 nA / <150 nA @ Vop
• Empfindlichkeit: 0,6 A/W bei 900 nm
• Anstiegs-/Abfallzeit: <20 ns / <20 ns
• Antireflexbeschichtung zur Verbesserung der Empfindlichkeit bei 900 nm
• Niedrige Betriebsspannung
• RoHS-konform