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Silizium-Fotodiode VTB6061CIEH

Silizium-Fotodiode - VTB6061CIEH - Excelitas Technologies - PCO
Silizium-Fotodiode - VTB6061CIEH - Excelitas Technologies - PCO
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Eigenschaften

Merkmal
Silizium

Beschreibung

Beschreibung
Der VTB6061CIEH ist eine Silizium-Photodiode im hermetischen TO-8-Flachfenstergehäuse mit integriertem Sichtbereichsfilter, der die photopische Reaktion des menschlichen Auges nachbildet. Sie verfügt über eine große aktive Fläche von 37,7 mm², sehr hohe Shunt-Widerstände und sehr niedrigen Dunkelstrom, geeignet für präzise Lichtmessungen im photovoltaischen Betrieb oder bei geringer Sperrspannung.

Allgemein
Der VTB6061CIEH bietet eine aktive Fläche von 37,7 mm², optimiert für photometrische Anwendungen. Er ist primär für den photovoltaischen Betrieb vorgesehen, kann aber mit kleiner Sperrspannung betrieben werden. Die hohe Shunt-Widerstand reduziert Offset-Fehler in Hochverstärker-Transimpedanz-Schaltungen.

Eigenschaften & Vorteile
  • Sichtbarer Spektralbereich angepasst an das menschliche Auge (photopisch)
  • 1%–2% Linearität über 7 bis 9 Dekaden
  • Sehr niedriger Dunkelstrom (≤2 nA bei 2 V Sperrspannung)
  • Sehr hoher Shunt-Widerstand für geringe Offset in Hochgewinn-Designs
  • RoHS-konform

Anwendungen
  • Umgebungslicht-Erkennung
  • Lichtmessgeräte und Fotometer
  • Flammenüberwachung
  • Photometrie und Laborlichtmessungen

Technische Daten / Spezifikationen
  • Aktive Fläche = 37,7 mm²
  • Photometrische Empfindlichkeit = Mindestens 75 nA/fc bei 1 fc
  • Dunkelstrom = Maximal 2 nA bei 2 V Sperrspannung
  • Junktionskapazität = Typisch 8,0 nF bei 0 V
  • Spektralbereich = 460 nm bis 675 nm
  • Maximale spektrale Empfindlichkeit = 555 nm
  • Winkelabhängigkeit = ±55° bei 50% Empfindung

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electronica Munich 2026
electronica Munich 2026

10-13 Nov. 2026 Munich (Deutschland) Halle B4 - Stand 302

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