Infrarot-Fotodiode C30737LH-230-80N

wellenlängenempfindlichSiliziumLIDAR

Produktübersicht
Die Silizium-Lawinenphotodiode C30737LH-230-80N (Si APD) ist für eine verbesserte Empfindlichkeit bei 800 nm optimiert. Sie verfügt über einen aktiven Durchmesser von 230 µm und wird in einem keramischen Gehäuse ohne Anschlussdrähte (LCC) geliefert, geeignet für kompakte Detektoranordnungen.

Hauptmerkmale

• Hohe Responsivität zwischen 500 und 1000 nm mit Maximum bei 800 nm
• Niedriges Dunkelrauschen und sehr schnelle Anstiegszeiten; Frequenzgang > 1,5 GHz
• Aktiver Durchmesser: 230 µm, optimiert für 800 nm
• Keramikgehäuse ohne Anschlussdrähte (LCC) für kompakte Integration

Anwendungen

• LiDAR-Systeme
• Laser-Entfernungsmessung
• Sicherheits- und Scannersysteme
• Kostensensible, leistungsfähige optische Detektormodule

Technische Daten

• Aktiver Durchmesser: 230 µm
• Wellenlänge maximaler Empfindlichkeit: 800 nm
• Durchbruchspannung (Vbd): 120–210 V (Binning verfügbar)
• Temperaturkoeffizient von Vop für konstantes M: 0,5 V/°C
• Gain: 100 @ 800 nm
• Responsivität: 50 A/W bei 800 nm
• Dunkelstrom Id: 0,05–<0,5 nA
• Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
• Kapazität: 1 pF
• Anstiegs-/Abfallzeit: 0,2 ns (R Last = 50 Ω)
• Grenzfrequenz: 1,5 GHz
• Lagerungstemperatur: -50 °C bis +100 °C
• Betriebstemperatur: -40 °C bis +85 °C
• Gehäuse: 3 × 3 mm Glasfenster, keramisches Gehäuse ohne Anschlussdrähte (LCC)
• Fenster: Standard