QPD-Fotodiode YAG-444-4

mit QuadrantenInfrarotSilizium

Produktübersicht
Die YAG-444-4 Serie sind Silizium-PIN-Quadrant-Photodioden in hermetisch verschlossenen TO-Gehäusen, entwickelt für Positionsdetektion und Anwendungen bei 1064 nm. Erhältlich in N- und P-Typ, verfügen die Bauteile über einen Schutzring zur Aufnahme von außerhalb des aktiven Bereichs erzeugtem Strom und einen großen aktiven Durchmesser für Positionsmessungen mit fokussierten oder defokussierten Strahlen im gepulsten oder CW-Betrieb.

Wichtigste Merkmale

• Hohe Quanteneffizienz bei 1064 nm
• Übersprechen <1% zwischen Elementen
• Keine Totzonen zwischen Quadranten (P-Typ)
• Hermetisches TO-Can-Gehäuse (TO-36 kundenspezifisch)
• Erhältlich als N- und P-Typ, optional Heizer (-H) und Antireflexbeschichtung (-AR / -ARH)

Beispielbilder
Produktbilder und Spektral-Responsivitätsdiagramme sind auf der Produktseite verfügbar.

Technische Daten / Spezifikationen

• Anzahl der Elemente: 4
• Aktiver Durchmesser (mm): 11,3
• Aktive Fläche pro Element (mm²): 25
• Typische Kapazität pro Quadrant (pF): 12
• Typische Responsivität bei 900 nm (A/W): 0,60
• Typische Responsivität bei 1064 nm (A/W): 0,44
• Typische Responsivität bei 1064 nm für -AR und -ARH Suffix (A/W): 0,47
• Typische Anstiegszeit, 50Ω Last (ns): 12
• Maximale Betriebsspannung (V): 180
• Minimale Durchbruchspannung (V): 200
• Typische Kapazität pro Element (pF): 9
• Maximale Kapazität pro Element (pF): 15
• Typischer Dunkelstrom pro Element (nA): 30
• Maximaler Dunkelstrom pro Element (nA): 100
• Typischer Rauschstrom pro Element (pA/√Hz): 0,20
• NEP bei 900 nm pro Element (pW/√Hz): 0,25
• NEP bei 1064 nm pro Element (pW/√Hz): 0,30
• Heizerwiderstand bei 25°C (Suffix -H) (kΩ): 10 ± 2
• Heizer Spitzenleistung (Suffix -H) (W): 16,1
• Maximale Heizer-DC-Spannung (Suffix -H) (V): 24
• Gehäuse: TO-36 kundenspezifisch
• Lagertemperaturbereich (°C): -55 bis 125
• Betriebstemperaturbereich (°C): -55 bis 125
• Betriebstemperaturbereich für Suffix -H (°C): -40 bis 85
• Maximale Heizer-Spannung (V): 12