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InGaAs-Fotodiode EXACTD®-332
Siliziumwellenlängenempfindlich

InGaAs-Fotodiode - EXACTD®-332 - Excelitas Technologies - PCO - Silizium / wellenlängenempfindlich
InGaAs-Fotodiode - EXACTD®-332 - Excelitas Technologies - PCO - Silizium / wellenlängenempfindlich
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Eigenschaften

Merkmal
InGaAs, Silizium, wellenlängenempfindlich

Beschreibung

Produktübersicht
Die Excelitas EXACTD® Plattform ist für die Erfassung des Einfallswinkels (AoA) in Laser-Warnempfängern (LWR) und aktiven elektro-optischen Systemen konzipiert. Das EXACTD-332 ist ein kompaktes Photodiodenmodul, das Si- und InGaAs-Detektorarrays kombiniert und eine Breitbandsensitivität von 500 bis 1650 nm im TO-8-Gehäuse bietet, optimiert für präzise AoA-Codierung über ein großes Sichtfeld.

Funktion und wichtige Merkmale
Das EXACTD-332 verwendet ein 3-Bit-Graycode-Schema zur Kodierung des eintreffenden Einfallswinkels mit einer kodierten Winkelauflösung von ±6,0°. Das Modul kann je nach Ausrichtung in Azimut oder Elevation eingesetzt werden und bietet ein Sichtfeld von ±45°. Integrierte Nieder- und Hohempfindlichkeitskanäle erweitern den Dynamikbereich, und jedes Photodiodenarray verfügt über zwei Referenzkanäle zur Bestimmung des Basispegels.

Merkmale & Vorteile
  • Spektraler Empfindlichkeitsbereich: 500 – 1650 nm (kombinierte Si- und InGaAs-Arrays)
  • 3-Bit-Graycode für ±6,0° AoA-Auflösung
  • Sichtfeld (FoV): ±45° in Azimut und Elevation
  • Nieder- und Hohempfindlichkeitskanäle für großen Dynamikbereich
  • Zwei Referenzkanäle pro Photodiodenarray zur Basispegelbestimmung

Illustrationen
Die Produktunterlagen enthalten Funktionsprinzip-Diagramme und Leistungsdiagramme, die Detektorreaktion, AoA-Codierung und vergleichende Antworten über Wellenlängenbereiche zeigen.

Eigenschaften / Technische Daten
  • Rauschstrom pro Element (pA/√Hz): 0.2
  • Typische Kapazität pro Element (pF): 13.5
  • Typische Angle-of-Arrival (AoA) Genauigkeit (RMS-Fehler) (°): 6.0
  • Maximaler Zielabweichungsfehler (°): 1.8
  • Winkelauflösung (kodiert): ±6.0° (3-Bit-Graycode)
  • Sichtfeld (FoV): ±45° (Azimut und Elevation)
  • Spektrale Empfindlichkeit: 500 – 1650 nm (kombinierte Si- und InGaAs-Arrays)
  • Detektorarrays: Silizium (Si) und InGaAs
  • Kanäle: Nieder- und Hohempfindlichkeitskanäle plus zwei Referenzkanäle pro Array
  • Gehäuse: Kompaktes TO-8-Gehäuse

Kataloge

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electronica Munich 2026
electronica Munich 2026

10-13 Nov. 2026 Munich (Deutschland) Halle B4 - Stand 302

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