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Schalt-Fototransistor VTT9812FH
Silizium

Schalt-Fototransistor - VTT9812FH - Excelitas Technologies - PCO - Silizium
Schalt-Fototransistor - VTT9812FH - Excelitas Technologies - PCO - Silizium
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Technologie
Schalt
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Silizium

Beschreibung

Produktübersicht
Der VTT9812FH ist ein Silizium-Fototransistor in einem flachen T1 3/4 End-looking-Gehäuse mit integriertem IR-Blocker im Epoxid. Er liefert eine starke Antwort im sichtbaren Spektralbereich (450 nm bis 700 nm) und ist eine RoHS-konforme Alternative zu Cadmiumsulfid-Fotodetektoren. Das Bauteil ist für Dämmerungs-/Morgendämmerungsumschaltung und für die Erkennung bei sehr niedrigen Lichtstärken von etwa 0,2 bis 1 fc (2 bis 10 lux) ausgelegt.

Eigenschaften und Vorteile
  • Empfindlichkeit für sichtbares Licht mit integriertem IR-Blocker in der Epoxidvergussmasse
  • Niedriger Dunkelstrom für bessere Leistung bei schwachem Licht
  • RoHS-konforme Alternative zu CdS-Fotowiderständen


Anwendungen
  • Straßenbeleuchtungsumschaltung
  • Innen- und Außenlichtsteuerung (Dämmerungsschalter)
  • Dimmtasten für Fahrzeugbeleuchtung
  • Kontraststeuerung von Displays
  • Energieeinsparende Beleuchtungsanwendungen


Technische Daten
  • Aktive Fläche = 0,192 mm²
  • Kurzschlussstrom = Mindestens 60 µA bei 100 fc, 2850 K
  • Dunkelstrom = Maximal 50 nA bei 5 V VCE
  • SPEKTRALBEREICH = 450 nm bis 700 nm
  • Spitzenempfindlichkeit = 585 nm
  • Empfindlichkeit bei Spitzenwellenlänge = Typ. 7 A/W
  • Winkelantwort = ±50° bei 50% Antwort
  • Löttemperatur = Maximal 260°C

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electronica Munich 2026
electronica Munich 2026

10-13 Nov. 2026 Munich (Deutschland) Halle B4 - Stand 302

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