Avalanche-Fotodiode C30683

InGaAs

Übersicht
Die Serie C30683 vereint eine Avalanche-Photodiode (APD) und einen hochgeschwindigkeits-Transimpedanzverstärker (TIA) in einem hermetisch verschlossenen TO-8-Gehäuse zur präzisen Detektion sehr schwacher Lichtsignale. Modelle sind mit Silizium- oder InGaAs-APDs erhältlich und bieten Systembandbreiten bis zu 450 MHz, niedrige NEP-Werte und differentielle Ausgänge für anspruchsvolle optische Mess- und Distanzsysteme.

Wichtige Produkthinweise

• Integrierter Thermistor zur Überwachung der APD-Temperatur und Kompensation der HV-Versorgung zur Stabilisierung des Verstärkungsfaktors.
• APD-Optionen: Silizium (C30737, 500 µm) und InGaAs (C30645, 80 µm; C30662, 200 µm).
• Typische Bestellnummern: C30683-900-R5DH, C30683-1550-R08DH, C30683-1550-R2BH.

Eigenschaften

• Integrierter APD mit erster Verstärkungsstufe im hermetischen TO-8-Gehäuse
• Wahl zwischen Silizium- oder InGaAs-Detektoren
• Systembandbreite bis zu 450 MHz (modellabhängig)
• 50 Ω AC-Lastfähigkeit (AC-gekoppelt)
• Betriebsspannung des Verstärkers: +3,3 V
• Differentieller Ausgang zur Störunterdrückung

Anwendungen

• LiDAR und Distanzmessung
• Freiraum-Optische Kommunikation
• Extrem schwache Lichtdetektion und analytische Messgeräte
• Distributed Temperature Sensing (DTS)
• Konfokale Mikroskopie und photonische Prüfsysteme

Technische Daten

• Serie: C30683
• Gehäuse: Hermetisch verschlossener TO-8 mit integriertem APD und erster Verstärkungsstufe
• APD-Optionen & typische Größen: Silizium (C30737, 500 µm); InGaAs (C30645, 80 µm; C30662, 200 µm)
• Responsivität: bis zu 550 kV/W (900 nm) bzw. 120 kV/W (1550 nm), modellabhängig
• NEP: bis zu 37 fW/√Hz (modellabhängig)
• Systembandbreite: bis zu 450 MHz (modellabhängig)
• Lastfähigkeit: 50 Ω AC (AC-gekoppelt)
• Versorgung Verstärker: +3,3 V
• Ausgang: Differenziell
• Temperaturüberwachung: Integrierter Thermistor zur APD-Temperaturkompensation