Wellenlängenempfindlicher Fotodiode C30724EH

AvalancheSiliziumInfrarot

Produktübersicht
Die Silizium-Avalanche-Photodiode C30724EH (Si APD) bietet eine Spitzenempfindlichkeit bei 920 nm in einem hermetisch verschlossenen TO-18-Metallgehäuse. Sie verfügt über einen niedrigen Temperaturkoeffizienten und schnelle Ansprechzeiten, geeignet für 905-nm-Laser-Entfernungsmessung und industrielle Sensoranwendungen.

Serienbeschreibung
Die C30724-Serie liefert hohe Responsivität im Bereich 800–950 nm mit Anstiegs- und Abfallzeiten von ca. 5 ns und ohne Abfallzeit-Nachlauf. Für volumenstarke 905-nm-Laser-Entfernungsmessungen konzipiert, kann diese Serie mit fester Vorspannung betrieben werden, ohne aktive Temperaturkompensation.

Hauptmerkmale:

• Si APD mit integriertem 905-nm-Filter im TO-18 Metallgehäuse
• Ca. 5 ns Anstiegs- und Abfallzeiten, kein Nachlauf im Abfallverhalten
• Betrieb bei niedriger Verstärkung
• Niedriger Temperaturkoeffizient — keine Temperaturkompensation erforderlich

Hauptanwendungen:

• Laser-Entfernungsmessung
• Laser-Distanzmesser
• Verkehrsgeschwindigkeitsmessung

Technische Daten:

• Aktive Fläche: 0,2 mm²
• Aktiver Durchmesser: 0,5 mm
• Durchbruchspannung: 350 V
• Kapazität: 1 pF
• Dunkelstrom: 20 nA
• Verstärkung: >12, 15, <18
• Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
• Gehäuse: TO-18
• Wellenlänge der Spitzenempfindlichkeit: 920 nm
• Responsivität: 8,5 A/W bei 920 nm
• Anstiegs-/Abfallzeit: 5 ns
• Gesamter Dunkelstrom (Bulk + Oberfläche): 20 nA
• Betriebsspannungsbereich: 150-200 V
• Wellenlängenbereich: 400-1100 nm