InGaAs-Fotodiode C30617BFCH

wellenlängenempfindlichInfrarotPIN

Produktübersicht
Der C30617BFCH ist eine Hochgeschwindigkeits‑InGaAs‑PIN‑Photodiode mit einem Chipdurchmesser von 100 µm im TO‑18‑Kugellinsen‑Gehäuse mit FC‑Anschluss. Sie bietet hohe Quantenwirkungsgrade von 800 bis 1700 nm und kombiniert geringe Kapazität für erweiterte Bandbreiten mit hohem Widerstand für empfindliche, lineare und gleichmäßige Detektorantwort (≤ 2 % Abweichung) über die aktive Fläche.

Merkmale & Vorteile:

• Hochgeschwindigkeits InGaAs PIN‑Photodiode
• Gehäuse: TO‑18 Kugellinsen‑Gehäuse mit FC‑Anschluss
• Aktiver Durchmesser: 100 µm
• Hohe Responsivität bei 1300 nm und 1550 nm
• Geringe Kapazität für Bandbreiten bis zu 3,5 GHz

Anwendungen:

• Telekommunikation und Glasfaserverbindungen
• Optische Messtechnik und Testsysteme
• Hochgeschwindigkeits‑Datenübertragung
• Hochgeschwindigkeits‑Schaltungen und photonische Empfänger

Technische Daten

• Durchbruchspannung: 100 V
• Betriebsspannung: 5 V
• Kapazität: 0,45 pF
• Dunkelstrom: 1 nA
• Rauschstrom: 0,02 pA/√Hz
• Gehäuse: Keramikträger (TO‑18 Kugellinsen‑Gehäuse mit FC‑Anschluss)
• Aktiver Durchmesser: 100 µm
• Spektraler Bereich / Quantenwirkungsgrad: Hoher Quantenwirkungsgrad von 800 nm bis 1700 nm; hohe Responsivität bei 1300 nm und 1550 nm
• Responsivität: 0,90 A/W
• Bandbreite / Anstiegs‑Abfallzeit: Geringe Kapazität unterstützt Bandbreiten bis zu 3,5 GHz; Anstiegs/Abfallzeit: < 0,5 ps