Lawinenfotodioden-Modul (APD) C30659-900-R5BH

Übersicht
Die Serie C30659 umfasst einen Silizium-Avalanche-Photodioden (Si APD) mit einem hybriden Vorverstärker in einem hermetisch abgeschlossenen TO-8-Gehäuse für ultra-rauscharmes Detektieren. Die Variante C30659-900-R5BH enthält einen C30902EH Si APD mit Peak-Ansprechvermögen bei 900 nm und einem aktiven Durchmesser von 0,5 mm.

Wesentliche Merkmale und Funktionsbeschreibung
Das Modul verwendet eine invertierende Verstärkertopologie mit einem Emitter-Follower als Ausgangspuffer. Der Vorverstärker-Front-end nutzt ein sehr niederrauschendes GaAs-FET, um eine höhere Transimpedanz als die Standardserie C30950 zu erreichen. Die Si APDs der C30659-Familie entsprechen den in den Produkten C30817EH, C30902EH, C30954EH und C30956EH eingesetzten Detektoren; InGaAs APDs werden in den Varianten C30645EH und C30662EH verwendet. Diese Detektoren bieten gute Empfindlichkeit im sichtbaren und nahinfraroten Bereich und zeigen schnelle Anstiegs- und Abfallzeiten über die Wellenlängen.

Anwendungen

• Rauscharme Photodetektion in kompakten, hermetisch abgeschlossenen Gehäusen
• Systeme, die schnelle Zeitantwort und hochtransimpedante Vorverstärkung erfordern

Technische Daten

• Systembandbreite: 200 MHz
• Äquivalente Rauschleistung (NEP): 35 fW/√Hz bei 830 nm; 40 fW/√Hz bei 900 nm
• Spektraler Ansprechbereich: 400 bis 1100 nm
• Typischer Leistungsbedarf: 150 mW
• Betriebsspannungen des Verstärkers: ±5 V
• 50 Ω AC-Lastfähigkeit (AC-koppelt)
• Hermetisch verschlossenes TO-8-Gehäuse
• Aktives Detektorelement: C30902EH Si APD, Peak-Antwort 900 nm, aktiver Durchmesser 0,5 mm