UV-Fotodiode C30739ECERH

für ionisierende StrahlungAvalancheSilizium

Produktübersicht
Der C30739ECERH ist eine kurzwellige Si-Avalanche-Photodiode (Si APD) in einem flachen Keramikgehäuse. Er deckt etwa 400–700 nm ab, bietet eine verbesserte UV-Empfindlichkeit und eine Quantenwirkungsgrad >70% bei 430 nm. Für die Detektion bei niedrigen Lichtpegeln konzipiert, erleichtert das Keramikgehäuse die mechanische Kopplung an Szintillatoren wie LSO und BGO und eignet sich für medizinische Bildgebung und Strahlungsdetektionssysteme.

Eigenschaften & Vorteile

• Si APD mit verbesserter UV-Antwort
• Quantenwirkungsgrad >70% bei 430 nm
• Flaches Keramikgehäuse für einfache Kopplung an Szintillatoren
• Nicht-magnetisches Gehäuse geeignet für empfindliche Messumgebungen

Anwendungen

• Molekulare Bildgebung
• Detektoren in der Nuklearmedizin
• Fluoreszenzdetektion
• Hochenergiephysik-Instrumentierung
• Strahlensicherheitsüberwachung
• Umweltüberwachung von Strahlung

Technische Daten

• Aktive Fläche: 5,6×5,6 mm
• Durchbruchspannung: 400, <450 V
• Kapazität: 60 pF
• Dunkelstrom: 1,5 nA
• Verstärkung (Gain): >100
• Rauschstrom:
• Anstiegs-/Abfallzeit: 2 ns
• Responsivität: 26 A/W für C30739ECERH, 52 A/W für C30739ECERH-2 bei 430 nm (typischer Gain)
• Rise/Fall Time: 2 ns
• Spektraler Rauschstrom: 0,3 pA/√Hz für C30739ECERH, 0,4 pA/√Hz für C30739ECERH-2
• Wellenlängenbereich: 400–700 nm