Wellenlängenempfindlicher Fotodiode C30737MH-500-80N

SiliziumLIDARAvalanche

Produktübersicht: Die C30737MH-500-80N Silizium-Avalanche-Photodiode (APD) bietet einen aktiven Durchmesser von 500 µm mit verstärkter Empfindlichkeit bei 800 nm. Geliefert im leadless laminated carrier (LLC) in einem top-looking FR4-Epoxy-Gehäuse 2 × 1,75 mm, geeignet für Hochgeschwindigkeits-Optikdetektion.

Hauptmerkmale:

• Hohe Responsivität im Bereich 500–1000 nm, optimiert für 800 nm
• Niedriges Rauschen mit sehr schnellen Anstiegs-/Abfallzeiten und Bandbreite >1,3 GHz
• Verstärkung ~100 bei 800 nm
• Leadless Laminated Carrier Option "MH", top-looking Package

Anwendungen:

• LiDAR- und Laser-Entfernungsmesssysteme
• Lasererkennung und -messung
• Sicherheits- und Scannerdetektoren
• Kosteneffiziente Hochleistungs-Optikdetektion

Spezifikationen:

• Aktiver Durchmesser: 500 μm
• Wellenlänge maximaler Empfindlichkeit: 800 nm
• Durchbruchspannung (Vbd): 120–210 V (Binning verfügbar)
• Temperaturkoeffizient von Vop (konstantes M): 0,5 V/°C
• Verstärkung: 100 @ 800 nm
• Responsivität: 50 A/W @ 800 nm
• Dunkelstrom (Id): <1 nA
• Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
• Kapazität: 2 pF
• Anstiegs-/Abfallzeit: 0,3 ns (Rload = 50 Ω)
• Grenzfrequenz: 1,3 GHz
• Lagerungstemperatur: -50°C bis +100°C
• Betriebstemperatur: -40°C bis +85°C
• Gehäuse: 2 × 1,75 mm top-looking FR4 Epoxy, leadless laminated carrier (LLC)