Fotodioden

... Langer Wellenlängentyp (Grenzwellenlänge: 2,55 μm) Merkmale - Cutoff-Wellenlänge: 2,55 μm - Zweistufig TE-gekühlt - Kostengünstig - Lichtempfindliche Fläche: φ1 mm - Geringes Rauschen - Hohe Empfindlichkeit - Hohe Zuverlässigkeit - Schnelle ...

... InGaAs APD, die den Dunkelstrom stark reduziert Diese InGaAs-APD (Avalanche-Photodiode) reduziert den Dunkelstrom im Vergleich zu bestehenden Produkten durch den Einsatz einer neuen Bausteinstruktur und einer verbesserten Verarbeitung ...

... Photodiode für allgemeine Photometrie im sichtbaren bis nahen Infrarotbereich Die S16008-33 ist eine oberflächenmontierbare Si-Photodiode mit hoher Empfindlichkeit im sichtbaren bis nahen Infrarotbereich. Sie bietet eine höhere Empfindlichkeit ...

... Einführung Dieser 25Gbps Avalanche-Photodioden-Chip (APD-Chip) ist eine Art Ground-Signal (GS)-Elektrodenstruktur mit einer aktiven Fläche von Φ16μm, die von oben beleuchtet wird. Dieses Produkt zeichnet sich durch hohe Multiplikation, ...

... Beschreibung Dieser 25Gbps-Photodioden-Chip ist ein von oben beleuchteter PIN-Photodioden-Chip mit hoher Datenrate und einer aktiven Fläche von Φ32μm. Seine Eigenschaften haben hohe Empfindlichkeit, niedrige Kapazität, niedriger Dunkelstrom ...

... Beschreibung Dieser 25Gbps-Photodioden-Chip ist ein von oben beleuchteter PIN-Photodioden-Chip mit hoher Datenrate und einer aktiven Fläche von Φ32μm. Seine Eigenschaften haben hohe Empfindlichkeit, niedrige Kapazität, niedriger Dunkelstrom ...

... VEMD6010X01 ist eine Hochgeschwindigkeits- und hochempfindliche PIN-Fotodiode. Es handelt sich um eine kleine SMD-Vorrichtung (Surface Mount Device), die den Chip mit einer empfindlichen Fläche von 0,85 mm2 beinhaltet, ...