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... Beschreibung Der Hochgeschwindigkeits-4X14Gbps-Photodetektorchip ist eine GaAs-Positiv-Eingangs-PIN-Struktur, die sich durch hohe Reaktionsfähigkeit, niedrige Kapazität und geringen Dunkelstrom auszeichnet; die Größe der lichtempfindlichen ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... Beschreibung Dieser Fotodioden-Chip mit hoher Datenrate von 100 Gbit/s besteht aus einer GaAs-PIN-Struktur, die von oben beleuchtet wird. Eigenschaften sind hohe Verantwortung, niedrige Kapazität, niedriger Dunkelstrom, ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... 1. Hochempfindlicher InGaAs/InP-Lawinenphotodetektor, 2. Hohe Empfindlichkeit für Einzelphotonen 3. Hohe Verstärkung und geringes Rauschen 4. Wellenlängenbereich von 950nm bis 1650nm, 5. 49/125/250um Single-Mode-Faser-Koaxialgehäuse. Anwendungen 1. ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... Bei der Serie S16008 handelt es sich um eine oberflächenmontierbare Si-Fotodiode mit hoher Empfindlichkeit im sichtbaren bis nahen Infrarotbereich. Sie bietet eine höhere Empfindlichkeit als die Vorgängerserie S2387. Merkmale -Hohe ...
HAMAMATSU
Anwendungsfelder Mobile und smarte Endgeräte Überwachung der Vitalparameter Medizin & Gesundheit Digitale Diagnosegeräte
Die Fotodioden und LEDs von Jenoptik lassen sich problemlos in Ihre bestehenden Systeme integrieren, sind optimal an optoelektronische Applikationen anpassbar und können externe Filter einsparen. Fotodioden ...
... Silizium-PIN-Fotodiode MERKMALE Gehäusetyp: Oberflächenmontage Gehäuseform: 1206 Abmessungen (L x B x H in mm): 4 x 2 x 1,05 ANWENDUNGEN Hochgeschwindigkeits-Fotodetektor ...
... -Die 4-Quadranten-Silikon-Fotodiode mit Durchgangsbohrung zeichnet sich durch eine hohe Genauigkeit aus, die konzentrisch in einer Bohrung im externen mechanischen Gehäuse angeordnet ist. -Anwendungen: -Emitter-Ausrichtung -Positionserfassung, ...
... Silizium-Avalanche-Photodioden Si-APD sind für den Spektralbereich von 255 nm bis 1100 nm geeignet. Breite Palette an APDs Seit der Gründung der Laser Components Detector Group Inc. im Jahr 2004 haben wir eine Produktpalette aufgebaut, ...
LASER COMPONENTS
... PD-LD Inc. bietet eine Vielzahl von Standard- und kundenspezifischen PIN-Photodioden und APDs sind fasergekoppelte Gehäuse in bewährter Herstellung und Design. Unsere Germanium-Geräte sind für einen Bereich von 800 bis 2100nm geeignet. ...
PD-LD
... das hochzuverlässige Lumentum 1310/1550 nm 10G XFP ROSA Receiver Optical Subassembly (ROSA) Produkt, das speziell für den XFP Transceiver entwickelt wurde, bietet hervorragende Leistung bei erweiterten Betriebstemperaturen in Hochgeschwindigkeitsanwendungen ...
LUMENTUM
... Die DH-Si ist eine universell einsetzbare UV-verstärkte Silizium-Fotodiode mit ausgezeichneter Linearität und geringem Rauschen über den Wellenlängenbereich von 200-1100nm. Zusätzlich zum Einsatz im gesamten UV-NIR-Bereich ...
... Die SG01S-18 ist eine breitbandige SiC-UV-Photodiode, die die einzigartigen Eigenschaften extremer Strahlungshärte, nahezu perfekter sichtbarer Blindheit, geringen Dunkelstroms, hoher Geschwindigkeit und geringen Rauschens aufweist. Diese ...
Scitec Instruments
... Bericht über die Signalaufbereitung für einen UV-Sensor - Material auf Galliumnitridbasis - Schottky-Photodiode - Betrieb im photovoltaischen Modus - Gute sichtbare Blindheit - Hohe Ansprechempfindlichkeit & niedriger Dunkelstrom ...
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