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... Buchsentyp Dieser Hochgeschwindigkeits-Photosensor wurde für die Glasfaserkommunikation im 0,85-µm-Band entwickelt. Diese Si-PIN-Photodiode vom Buchsentyp ist mit GI-50-Multimode-Glasfasern kompatibel. Merkmale - Hochgeschwindigkeits-Ansprechverhalten: ...
HAMAMATSU
... Wir haben die Fotodiode und die Linse in den optimalen Positionen angeordnet, so dass diese InGaAs-PIN-Fotodiode des Buchsentyps deutlich weniger Mehrfachreflexionen im Inneren des Moduls ...
HAMAMATSU
... Großflächige Si-PIN-Photodiode für die direkte Strahlungsdetektion Die S13993 ist eine unversiegelte, großflächige Si-PIN-Photodiode für die direkte Strahlungsdetektion. Da der lichtempfindliche Bereich ...
HAMAMATSU
... Beschreibung Dieser 25Gbps APD-Lichtdetektorchip ist eine GSG-Elektrodenstruktur, die ein Hochgeschwindigkeits-Avalanche-Lichtdetektorchip mit positivem Lichteintritt ist, und die Größe der lichtempfindlichen Zone beträgt Φ16μm. Die ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
... Beschreibung Der 25Gbps APD-Lichtdetektor-Chip ist eine GS-Elektrodenstruktur, für die Vorderseite in das Licht der Hochgeschwindigkeits-Avalanche-Lichtdetektor-Chip, die lichtempfindliche Fläche Größe ist Φ16um, die wichtigsten Merkmale ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
... Beschreibung Dieser 10Gbps Avalanche-Photodioden-Chip (APD-Chip) ist eine Art Ground-Signal-Ground (GSG)-Elektrodenstruktur mit einer aktiven Fläche von Φ40μm, die von oben beleuchtet wird. Dieses Produkt zeichnet sich durch hohe Multiplikation, ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
... - Zugangskontrolle & Sicherheit - Geräte & Werkzeuge - Verpackung: schwarzes Epoxid - ESD: 2 kV gemäß ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Klasse 2) - Besonders geeignet für Anwendungen bei 880 nm - Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) - 5 mm LED-Kunststoffgehäuse - ...
OSRAM Opto Semiconductors
... Silizium-PIN-Fotodiode MERKMALE Gehäusetyp: Oberflächenmontage Gehäuseform: 1206 Abmessungen (L x B x H in mm): 4 x 2 x 1,05 ANWENDUNGEN Hochgeschwindigkeits-Fotodetektor ...
... zuverlässig gemessen werden. - UV-Breitband - 0,06mm2 Detektorfläche - TO18 hermetisch abgedichtetes Metallgehäuse, 1 isolierter Pin und 1 Gehäusestift - 10 mW/cm2 Bestrahlung bei 280 nm (Spitzenempfindlichkeit) ergibt ...
Scitec Instruments
... PD-LD Inc. bietet eine Vielzahl von Standard- und kundenspezifischen PIN-Photodioden und APDs sind fasergekoppelte Gehäuse in bewährter Herstellung und Design. Unsere Germanium-Geräte sind für einen Bereich von 800 bis ...
... hervorragende Leistung bei erweiterten Betriebstemperaturen in Hochgeschwindigkeitsanwendungen bis zu 10G. Das Produkt integriert PIN- und TIA-Chips in einem kundenspezifischen hermetischen TO46-Gehäuse. Jedes Gerät wird ...
LUMENTUM
InGaAs APD 1100 - 1700 nm Die InGaAs Lawinenfotodioden detektieren im Spektralbereich von 1100 nm bis 1700 nm. Im Vergleich zu Germanium Dioden haben sie ein deutlich geringeres Rauschen. InGaAs APD 1100 - 1700 nm Die InGaAs Avalanche ...
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