Infrarot-Fotodioden

... Bei der Serie S16008 handelt es sich um eine oberflächenmontierbare Si-Fotodiode mit hoher Empfindlichkeit im sichtbaren bis nahen Infrarotbereich. Sie bietet eine höhere Empfindlichkeit als die Vorgängerserie S2387. Merkmale -Hohe ...

... Photodiode für allgemeine Photometrie im sichtbaren bis nahen Infrarotbereich Die S16008-33 ist eine oberflächenmontierbare Si-Photodiode mit hoher Empfindlichkeit im sichtbaren bis nahen Infrarotbereich. Sie bietet eine höhere Empfindlichkeit ...

... Strahlungsdetektion. Da der lichtempfindliche Bereich mit Al beschichtet ist, gibt es keine Empfindlichkeit im ultravioletten bis nahen infraroten Bereich. Merkmale -Hohe Quanteneffizienz -Hohe Energieauflösung -Niedrige ...

... Si-Photodiode für sichtbare bis infrarote Photometrie Die S15137 ist eine Si-PIN-Photodiode, die für YAG-Laser (1,06 µm) entwickelt wurde. Die Lichtempfindlichkeit bei 1,06 µm beträgt 0,52 A/W (typ.) und ist damit etwa ...

... Präzisionsfotometrie im UV bis zum sichtbaren Bereich; unterdrückte Empfindlichkeit im nahen IR Merkmale - Hohe UV-Empfindlichkeit: QE＝75 % (λ=200 nm) - Unterdrückte Empfindlichkeit im nahen IR - Niedriger ...

... Optischer IR-Sensor-Chip Hoch-ESD-Design, hohe Ansprechempfindlichkeit, niedriger Dunkelstrom, positiver Beleuchtungstyp, Anode auf der Vorderseite und Kathode auf der Rückseite, runde aktive Fläche mit einer Größe von Ф 1000μ m. Er ...