Silizium-Fotodiode S16008

Infrarot

Bei der Serie S16008 handelt es sich um eine oberflächenmontierbare Si-Fotodiode mit hoher Empfindlichkeit im sichtbaren bis nahen Infrarotbereich. Sie bietet eine höhere Empfindlichkeit als die Vorgängerserie S2387. Merkmale - Hohe Empfindlichkeit im sichtbaren bis nahen Infrarotbereich - Niedriger Dunkelstrom - Hervorragende Linearität - Kompatibel mit bleifreiem Reflow-Lot Spezifikationen Lichtempfindliche Fläche - 5,8 × 5,8 mm Gehäuse - Glas-Epoxid Gehäusekategorie - Oberflächenmontagetyp Kühlung - Nicht gekühlt Spektralempfindlichkeitsbereich - 380 bis 1100 nm Wellenlänge der Spitzenempfindlichkeit (typ.) - 960 nm Lichtempfindlichkeit (typ.) - 0,64 A/W Dunkelstrom (max.) - 50 pA Anstiegszeit (typ.) - 9,0 μs Anschlusskapazitäten (typ.) - 4000 pF Rauschäquivalentleistung (typ.) - 2,0×10-15 W/Hz1/2 Messbedingungen - Ta=25 ℃, Typ., Lichtempfindlichkeit: λ=λp, Dunkelstrom: VR=10 mV, Anstiegszeit: VR=0 V, RL=1 kΩ, 10 bis 90%, Anschlusskapazität: VR=0 V, f=10 kHz, Rauschäquivalentleistung: VR=0 V, λ=λp, sofern nicht anders angegeben