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InGaAs-Fotodiode C30665GH-LC
InfrarotLIDARPIN

InGaAs-Fotodiode - C30665GH-LC - Excelitas Technologies - PCO - Infrarot / LIDAR / PIN
InGaAs-Fotodiode - C30665GH-LC - Excelitas Technologies - PCO - Infrarot / LIDAR / PIN
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Eigenschaften

Merkmal
InGaAs, Infrarot, LIDAR
Installierung
PIN

Beschreibung

Übersicht
Der C30665GH-LC ist eine großflächige InGaAs-PIN-Photodiode mit einem aktiven Chipdurchmesser von 3,0 mm im TO-5-Gehäuse mit flacher Glasfensteroption. Sie bietet hohe Quanteneffizienz im Bereich 800 nm–1700 nm und kombiniert ultra-niedrige Kapazität (≈ die Hälfte eines Standardtyps) mit niedrigem Dunkelstrom und hoher Shunt-Widerstandskraft.

Eigenschaften & Vorteile
  • Ultra-niedrige Kapazität für erweiterte Bandbreite
  • Hohe Responsivität bei 1300 nm und 1550 nm
  • Aktive Flächendurchmesser: 3,0 mm
  • Hohe Linearität über großen Dynamikbereich
  • Erhältlich in robusten TO-Gehäusen mit Flachfenster
  • Anpassungen möglich (z. B. integrierter TEC)
  • RoHS-konform

Anwendungen
  • Optische Leistungsmessgeräte
  • Faseroptische Mess- und Kommunikationsgeräte
  • Nahinfrarot-Spektroskopie
  • Laserprofilierung und Strahlcharakterisierung
  • Präzisionsinstrumentierung
  • LiDAR-Empfängermodule

Spezifikationen
  • Responsivität: 0,20 A/W bei 850 nm
  • Responsivität: 0,90 A/W bei 1300 nm
  • Responsivität: 1,05 A/W bei 1550 nm

Technische Daten
  • Modell: C30665GH-LC
  • Detektortyp: InGaAs PIN-Photodiode
  • Aktiver Flächendurchmesser: 3,0 mm
  • Gehäuse: TO-5 mit flacher Glasfensteroption
  • Spektralbereich / hohe Quanteneffizienz: 800 nm bis 1700 nm
  • Ultra-niedrige Kapazität (≈ Hälfte des Standardtyps)
  • Ergebnisbandbreite: ≈ doppelte 3 dB-Bandbreite des Standardtyps
  • Hohe Responsivität (Beispiele: 0,90 A/W bei 1300 nm, 1,05 A/W bei 1550 nm)
  • Hoher Shunt-Widerstand
  • Niedriger Dunkelstrom
  • Typische Nichtlinearität: <1%
  • Uniformität über die aktive Fläche: innerhalb 2%
  • Anpassungen verfügbar (z. B. integrierter TEC)
  • RoHS-konform

Kataloge

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electronica Munich 2026
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