Wellenlängenempfindlicher Fotodiode VTB8441BH

Silizium

Produktübersicht
Der VTB8441BH ist eine blauverstärkte Silizium-Fotodiode in einem 8 mm eingelassenen Keramikgehäuse mit transparenter Epoxidabdeckung. Ein integrierter IR-Sperrfilter begrenzt die Empfindlichkeit auf den sichtbaren Bereich. Das Bauteil bietet sehr hohen Shunt-Widerstand und sehr niedrigen Dunkelstrom, ausgelegt für präzise Lichtmessungen in industriellen Sensoranwendungen.

Einzelheiten
Der VTB8441BH verfügt über eine aktive Fläche von 5,16 mm² und ist primär für den photovoltaischen Betrieb vorgesehen, kann jedoch mit einer kleinen Sperrspannung betrieben werden. Der hohe Shunt-Widerstand minimiert Offset in hochverstärkenden Transimpedanzverstärker-Schaltungen und verbessert die Genauigkeit bei schwachem Licht und großem Dynamikbereich.

Eigenschaften & Vorteile

• Sichtbarer Spektralbereich (IR-Sperre)
• 1%–2% Linearität über 7 bis 9 Dekaden
• Sehr niedriger Dunkelstrom für bessere Leistung bei schwachem Licht
• Sehr hoher Shunt-Widerstand zur Reduzierung von Offset in TIA-Schaltungen
• RoHS-konform

Anwendungen

• Umgebungslichtmessung und -regelung
• Präzisions-Lichtmessgeräte und Photometrie
• Flammen- und Verbrennungsüberwachung
• Industrielle optische Sensorik und Messtechnik

Merkmale / Technische Daten

• Aktive Fläche = 5,16 mm²
• Kurzschlussstrom = Min. 4 µA bei 100 fc, 2850 K
• Dunkelstrom = Max. 100 pA bei 2 V Sperrspannung
• Junction-Kapazität = Typ. 1,0 nF bei 0 V
• Spektralbereich = 330 nm bis 720 nm
• Maximale spektrale Empfindlichkeit = 580 nm
• Empfindlichkeit bei Peak-Wellenlänge = Typ. 0,29 A/W
• Winkelantwort = ±50° bei 50% Antwort