Infrarot-Fotodiode C30822EH

SiliziumPIN

Übersicht
Der C30822EH ist eine Silizium (Si) PIN-Photodiode mit einem aktiven Chipdurchmesser von 5,0 mm in einem hermetisch dichten TO-8-Gehäuse. Sie deckt den Wellenlängenbereich von 300 nm bis 1100 nm ab und ist in photosensitiven Flächen von 0,8 mm² bis 100 mm² erhältlich.

Merkmale und Vorteile

• Silizium (Si) PIN-Photodiode
• Hermetisch dichtes TO-8-Gehäuse
• 5,0 mm aktiver Durchmesser
• Antireflexbeschichtung optimiert für 900 nm
• Hohe Responsivität
• Schnelle Ansprechzeiten
• Niedrige Betriebsspannung
• Niedrige Kapazität
• Hermetische Bauweise
• RoHS-konform

Anwendungen

• Laser-Detektionssysteme
• Photometrie
• Datenübertragung
• Instrumentierung
• Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen

Technische Daten

• Durchbruchs-Spannung: >100 V
• Kapazität: 12 pF
• Dunkelstrom: 50 nA / <250 nA
• Rauschstrom: 130 fW/√Hz
• Peak-Wellenlänge: 900 nm
• Responsivität: 0,6 A/W (bei 900 nm)
• Anstiegs-/Abfallzeit: <20 ns / <20 ns