ProduktbeschreibungDie Silizium-Avalanche-Photodiode (Si APD) C30703FH verfügt über eine photosensible Fläche von 10 x 10 mm und wird im Flat-pack-Gehäuse angeboten, ausgelegt für die Detektion auf sehr großen Flächen in Strahlungs- und Messtechnik-Anwendungen. Das Bauteil bietet eine verstärkte Empfindlichkeit im kurzwelligen (blauen) Bereich mit maximaler Quantenwirkungsgrad nahe 530 nm, was ein effizientes Koppeln an Szintillatorkristalle und schnelle Zeitauflösung ermöglicht.
Eigenschaften & Vorteile:- Hoher Quantenwirkungsgrad
- Niedrige Dunkelströme
- Einfache Kopplung an Szintillatorkristalle
- Immun gegen elektromagnetische Felder
- Erhöhte Empfindlichkeit im Kurzwellbereich; kundenspezifische Gehäuse verfügbar
- Exzellente Zeitauflösung
- RoHS-konform
Anwendungen:- Hochenergiephysik
- Strahlungsdetektion
- Teilchenphysik
- Messtechnik / Instrumentierung
- Umweltüberwachung
Technische Daten:- Aktive Fläche: 100 mm²
- Vop-Bereich: 275 - 425 V
- Kapazität: 100 pF
- Dunkelstrom: 250 nA
- Rauschstrom: 0.5 pA/√Hz
- NEP: 40 fW/√Hz, 530 nm
- Gehäuse: Flat-pack
- Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 530 nm
- Photosensitive Fläche: 10 x 10 mm
- Ansprechzeit: 5 ns
- Responsivität: 16 A/W bei 530 nm