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Silizium-Fotodiode C30737CH series
LIDARwellenlängenempfindlichAvalanche

Silizium-Fotodiode - C30737CH series - Excelitas Technologies - PCO - LIDAR / wellenlängenempfindlich / Avalanche
Silizium-Fotodiode - C30737CH series - Excelitas Technologies - PCO - LIDAR / wellenlängenempfindlich / Avalanche
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Eigenschaften

Merkmal
Silizium, LIDAR, wellenlängenempfindlich, Avalanche
Installierung
chip on carrier

Beschreibung

Produktbeschreibung:
Die Silizium-Avalanche-Photodiode C30737CH-300-70 (Si-APD) bietet einen aktiven Durchmesser von 300 μm mit verbesserter 800-nm-Antwort in einem seitlich ausgerichteten, blechlosen laminierten Trägergehäuse (LCC), geeignet für kompakte Detektormodule.

Wesentliche Merkmale:
  • Hohe Empfindlichkeit im Bereich 500 bis 1000 nm
  • Niedriges Rauschen und extrem schnelle Anstiegszeit über alle Wellenlängen mit einem Frequenzgang über 700 MHz
  • Aktiver Durchmesser 300 μm, optimiert für 800 nm
  • Laminiertes Leadless-Trägergehäuse mit Option "CH"

Anwendungen:
  • Laser-Entfernungsmessung
  • Entfernungsmesser
  • Flächen- und Sicherheitsabtastung
  • Anwendungen, die einen kostengünstigen, leistungsfähigen Detektor erfordern

Technische Daten:
  • Aktiver Durchmesser: 300 μm
  • Wellenlänge der Spitzenempfindlichkeit: 800 nm
  • Durchbruchspannung Vbd: 110-160 V
  • Verstärkung: 100 @ 800 nm
  • Responsivität: 35 A/W bei 635 nm
  • Dunkelstrom: 1 nA
  • Rauschstrom: 0,2 pA/√Hz
  • Kapazität: 0,7 pF
  • Grenzfrequenz: 700 MHz
  • Lagerungstemperatur: -20°C bis +70°C
  • Betriebstemperatur: -10°C bis +50°C
  • Gehäuse: 2x4 mm FR4 Epoxid, seitlich gerichtetes laminiertes Leadless-Trägergehäuse

Kataloge

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Messen

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electronica Munich 2026
electronica Munich 2026

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