Produktbeschreibung:Die Silizium-Avalanche-Photodiode C30737CH-300-70 (Si-APD) bietet einen aktiven Durchmesser von 300 μm mit verbesserter 800-nm-Antwort in einem seitlich ausgerichteten, blechlosen laminierten Trägergehäuse (LCC), geeignet für kompakte Detektormodule.
Wesentliche Merkmale:- Hohe Empfindlichkeit im Bereich 500 bis 1000 nm
- Niedriges Rauschen und extrem schnelle Anstiegszeit über alle Wellenlängen mit einem Frequenzgang über 700 MHz
- Aktiver Durchmesser 300 μm, optimiert für 800 nm
- Laminiertes Leadless-Trägergehäuse mit Option "CH"
Anwendungen:- Laser-Entfernungsmessung
- Entfernungsmesser
- Flächen- und Sicherheitsabtastung
- Anwendungen, die einen kostengünstigen, leistungsfähigen Detektor erfordern
Technische Daten:- Aktiver Durchmesser: 300 μm
- Wellenlänge der Spitzenempfindlichkeit: 800 nm
- Durchbruchspannung Vbd: 110-160 V
- Verstärkung: 100 @ 800 nm
- Responsivität: 35 A/W bei 635 nm
- Dunkelstrom: 1 nA
- Rauschstrom: 0,2 pA/√Hz
- Kapazität: 0,7 pF
- Grenzfrequenz: 700 MHz
- Lagerungstemperatur: -20°C bis +70°C
- Betriebstemperatur: -10°C bis +50°C
- Gehäuse: 2x4 mm FR4 Epoxid, seitlich gerichtetes laminiertes Leadless-Trägergehäuse