UV-Fotodiode VTB8440H

wellenlängenempfindlichInfrarotSilizium

Beschreibung
Die blauverstärkte Silizium-Photodiode VTB8440H ist in einem 8 mm eingelassenen Keramikgehäuse mit klarer Epoxid-Schutzschicht untergebracht. Sie bietet eine verstärkte Empfindlichkeit im blauen Spektralbereich sowie sehr hohen Shunt-Widerstand und geringen Dunkelstrom, geeignet für präzise Lichtmessungen.

Das Bauteil verfügt über eine aktive Fläche von 5,16 mm² und eine spektrale Empfindlichkeit von 320 nm bis 1100 nm. Als P-on-N Silizium-Planarphotodiode ausgeführt, ist die VTB8440H für eine optimale Reaktion im sichtbaren Spektralbereich ausgelegt und vorwiegend für den photovoltaischen Betrieb konzipiert.

Hauptsächlich für den photovoltaischen Betrieb vorgesehen, kann die Photodiode bei Bedarf mit einer kleinen Sperrspannung betrieben werden. Der sehr hohe Shunt-Widerstand minimiert Offsetfehler in hochverstärkenden Transimpedanzverstärker-Schaltungen und verbessert Stabilität und Messgenauigkeit.

Eigenschaften & Vorteile

• Spektralbereich UV bis nahes IR (320–1100 nm)
• 1%–2% Linearität über 7 bis 9 Dekaden
• Sehr geringer Dunkelstrom (≤ 2 nA bei 2 V Sperrspannung)
• Sehr hoher Shunt-Widerstand für geringe Offsets in Hochgewinn-Schaltungen
• RoHS-konform

Anwendungen

• UV- und Blaulichterkennung
• Lichtmesser und photometrische Instrumente
• Flammenüberwachung
• Photometrie und Labordetektoren

Technische Daten

• Aktive Fläche: 5,16 mm²
• Kurzschlussstrom: Min. 35 µA bei 100 fc, 2850 K
• Dunkelstrom: Max. 2 nA bei 2 V Sperrspannung
• Junction-Kapazität: Typ. 1,0 nF bei 0 V Bias
• Spektralbereich: 320 nm bis 1100 nm
• Maximale spektrale Empfindlichkeit: 920 nm
• Sensitivität bei Peak-Wellenlänge: Typ. 0,5 A/W
• Winkelantwort: ±50° bei 50% Antwort
• Gehäuse: 8 mm eingelassenes Keramikgehäuse mit klarer Epoxid-Schutzschicht
• Konstruktion: P-on-N Silizium-Planarphotodiode, optimiert für sichtbare Reaktion
• Betriebsart: Vorzugsweise photovoltaisch; kann mit kleinem Sperrspannungs-Bias betrieben werden; sehr hoher Shunt-Widerstand geeignet für Transimpedanzverstärker mit hohem Gewinn