Lawinenfotodioden-Modul (APD) C30659-1550-R08BH

Überblick
Die Serie C30659 ist ein InGaAs-APD-Empfänger, der eine InGaAs-Avalanche-Photodiode mit einem hybriden, rauscharme Vorverstärker in einem hermetisch verschlossenen TO-8-Gehäuse kombiniert. Die Variante C30659-1550-R08BH enthält einen Excelitas C30645EH InGaAs-APD, optimiert für 1550 nm, und bietet schnelle Reaktion sowie niedrige Rauschwerte für Faseroptik- und Messanwendungen.

Konstruktion und Betrieb
Der Empfänger verwendet eine invertierende Verstärkertopologie mit einem Emitterfolger als Ausgangspuffer. Der Vorverstärker verfügt über einen sehr niederohmigen GaAs-FET-Eingang mit sehr geringem Rauschen, der eine höhere Transimpedanz gegenüber Standarddesigns ermöglicht und eine zuverlässige Signalaufbereitung bis zur angegebenen Bandbreite sicherstellt.

Detektordetails
Die Serie verwendet je nach Variante Si- oder InGaAs-APDs. Das C30659-1550-R08BH enthält den Excelitas C30645EH InGaAs-APD. Diese Detektoren zeigen eine gute Empfindlichkeit von ca. 830 nm bis 1550 nm und schnelle Anstiegs-/Abfallzeiten, wodurch das Modul für Hochgeschwindigkeits-Optikdetektion bei 1550 nm geeignet ist.

Hauptmerkmale

• Systembandbreite: 200 MHz
• Ultra-niedriger NEP:
  • 250 fW/√Hz bei 1300 nm
  • 220 fW/√Hz bei 1550 nm
• Spektrale Antwort: Peak bei 1550 nm
• Typischer Stromverbrauch: 150 mW
• Versorgung des Verstärkers: ±5 V
• Ausgang: 50 Ω AC-kopplbare Lastfähigkeit
• Gehäuse: hermetisch verschlossenes TO-8
• Enthaltener Detektor: Excelitas C30645EH InGaAs APD (optimiert für 1550 nm)

Technische Spezifikationen

• Systembandbreite: 200 MHz
• NEP: 250 fW/√Hz bei 1300 nm; 220 fW/√Hz bei 1550 nm
• Spektrale Antwort: Peak bei 1550 nm; Reaktion von ~830 nm bis 1550 nm
• Typischer Stromverbrauch: 150 mW
• Betriebsspannungen des Verstärkers: ±5 V
• Ausgang: 50 Ω Lastfähigkeit (AC-koppelt)
• Gehäuse: hermetisch verschlossenes TO-8
• In dieser Variante enthaltener Detektor: Excelitas C30645EH InGaAs APD (optimiert für 1550 nm)
• Konstruktionshinweise: invertierender Verstärker mit Emitterfolger-Ausgangspuffer; GaAs-FET Frontend mit geringem Rauschen für höhere Transimpedanz