Lawinenfotodioden-Modul (APD) C30659-1550E-R08BH

Übersicht
Die C30659-Serie von InGaAs-APD-Empfängern integriert eine InGaAs-Avalanche-Photodiode (APD) und einen hybriden Vorverstärker in einem hermetisch dichtem TO-8-Gehäuse für den Betrieb mit sehr geringem Rauschen. Die Variante C30659-1550E-R08BH enthält eine C30645EH InGaAs-APD, optimiert für 1550 nm, mit 80 µm aktiver Fläche.

Aufbau und Leistung
Die Serie verwendet ein invertierendes Verstärkerdesign mit einem Emitter-Follower als Ausgangspuffer. Der Vorverstärker-Front-End nutzt einen sehr niederrauschenden GaAs-FET, ausgelegt für höhere Transimpedanz als die Standardserie C30950. Die InGaAs-Detektoren bieten gute Empfindlichkeit zwischen 830 nm und 1550 nm und schnelle Anstiegs-/Abfallzeiten über die Wellenlängen.

Hauptmerkmale

• Hybrider APD plus Vorverstärker in hermetisch dichtem TO-8-Gehäuse
• C30645EH InGaAs-APD optimiert für 1550 nm (in dieser Variante verwendet)
• 80 µm aktive Fläche
• Design mit hoher Zerstörschwelle

Anwendungen
Sensoren und optische Detektionssysteme, die hohe Empfindlichkeit, sehr geringes Rauschen und schnelle Reaktion im nahen Infrarot erfordern, insbesondere im Bereich um 1550 nm.

Technische Daten

• Teilenummer: C30659-1550E-R08BH
• Serie: C30659
• Systembandbreite: 200 MHz
• NEP: 250 fW/√Hz bei 1300 nm; 220 fW/√Hz bei 1550 nm
• Spektrale Empfindlichkeit: Peak bei 1550 nm (gute Antwort zwischen 830 nm und 1550 nm)
• Typischer Leistungsverbrauch: 150 mW
• Versorgungsspannungen des Verstärkers: ±5 V
• 50 Ω AC-Lastfähigkeit (AC-gekoppelt)
• Gehäuse: hermetisch dichtes TO-8
• Vorverstärker-Front-End: sehr niederrauschender GaAs-FET