Lawinenfotodioden-Modul (APD) C30662 series

Übersicht
Die Excelitas C30662 Serie umfasst großflächige InGaAs-Lawinenphotodioden (APD) mit 200 µm aktiver Fläche, ausgelegt für den Wellenlängenbereich 1000–1700 nm. Diese APDs bieten hohe Quantenwirkungsgrad und Responsivität bei geringem Eigenrauschen. Erhältlich in hermetischen Gehäusen TO-18, TO-46, Ceramic Carrier und als SMD zur Integration in Labor-, OEM- und Serienanwendungen.

Leistung und Anwendungen
Hohe Bandbreite und Niedrigrausch-Optionen ermöglichen verbesserte Signal-Rausch-Verhältnisse für LiDAR, augensichere Entfernungsmessung und kohärentes OTDR. Niedrigrausch-Varianten vergrößern die Detektionsreichweite für Raman-Streuung und erhöhen die Empfindlichkeit bei verteilten Faser-Sensoranwendungen (DTS, DAS). Geeignet für OEM-Systeme, die stabilen Betriebsgewinn und schnelle Ansprechzeiten benötigen.

Serienmodelle (Modell / Gehäusetyp / Fensterwerkstoff / Fensteröffnung / Kommentare)
C30662ECERH / Ceramic Carrier / N/A / N/A / (no comment)
C30662ECERH-1 / Ceramic Carrier / N/A / N/A / ΔV > 4 V
C30662EH / TO-18, 2 pin / Glass / Large / (no comment)
C30662EH-1 / TO-18, 2 pin / Glass / Large / ΔV > 4 V
C30662EH-2 / TO-46, 3 pin / Glass / Large / 3. ground pin
C30662EH-137 / TO-18, 2 pin / Glass (bei einigen EH-Varianten) / Small / low noise, ΔV > 4 V
C30662EH-3 / TO-18, 2 pin / (nicht spezifiziert) / Small / (no comment)
C30662EH-5 / TO-18, 2 pin / Silicon / Small / (no comment)
C30662EH-7 / TO-46, 3 pin / Glass / Large / low noise
C30662EH-27 / TO-46, 3 pin / Glass / Large / low noise, 3. ground pin
C30662L-200 / SMD / N/A / N/A / (no comment)
C30662L-200-1 / SMD / Silicon / N/A / (no comment)
C30662L-200-7 / SMD / Glass / N/A / low noise
C30662L-200-17 / SMD / Silicon / N/A / (no comment)

Elektrische / optische Parameter (Auswahl)
Rise/Fall time: t_r / t_f = 0,4 ns (max)
Bandbreite (−3 dB): typ. 600 MHz, max. 850 MHz
Kapazität: Standard typ. 2,5 pF, SMD typ. 2,7 pF
Dunkelstrom: Standard typ. 13 nA (max 35 nA); Niedrigrausch typ. 7,5 nA (max 15 nA)
Dunkelrauschen (i_N): Standard typ. 0,45 pA/√Hz (max 1 pA/√Hz); Niedrigrausch typ. 0,35 pA/√Hz (max 0,5 pA/√Hz)
NEP: Standard typ. 48 fW/√Hz (max 106 fW/√Hz); Niedrigrausch typ. 37 fW/√Hz (max 53 fW/√Hz)
Betriebsverstärkung (M): typ. 10, max. 20
Durchbruchspannung (V_BD): min 45 V, typ. 50 V, max 70 V; Betriebsarbeitsabstand vom Durchbruch (ΔV): typ. 4 V
Spektralbereich: 1000–1700 nm; Quantenwirkungsgrad: typ. ~75%
Responsivität @1550 nm: typ. ~9,3 A/W; Temperaturkoeffizient von V_BD: typ. 0,14 V/°C (max 0,2 V/°C)

Anmerkungen
Anmerkung 1: Glasfenster übertragen sichtbares Licht und IR; Siliziumfenster blockieren sichtbares Licht unter ≈1,1 µm.
Anmerkung 2: Einige Fenster sind AR-beschichtet zur Reduzierung von Reflexionen.

Technische Spezifikationen

• Aktive Fläche: 200 µm
• Spektralbereich: 1000 nm – 1700 nm
• Quantenwirkungsgrad: ~75% (typisch)
• Responsivität bei 1550 nm: ~9,3 A/W (typisch)
• Bandbreite (−3 dB): typisch 600 MHz, bis zu 850 MHz
• Rise/Fall time: typ/max ~0,4 ns
• Betriebsverstärkung (M): typisch 10, bis zu 20
• Durchbruchspannung (VBD): 45 – 70 V (typ. 50 V)
• Betriebspunkt vom Durchbruch (ΔV): ~4 V
• Kapazität (Standard): ~2,5 pF; SMD: ~2,7 pF
• Dunkelstrom (Standard): typ. 13 nA, max 35 nA; Niedrigrausch-Varianten: typ. 7,5 nA, max 15 nA
• Dunkelrauschen (Standard): 0,45 – 1 pA/√Hz; Niedrigrausch: 0,35 – 0,5 pA/√Hz
• NEP Standard: typ. 48 fW/√Hz, max 106 fW/√Hz; Niedrigrausch: typ. 37 fW/√Hz, max 53 fW/√Hz
• Gehäuseoptionen: TO-18 (2 pin), TO-46 (3 pin), Ceramic Carrier, SMD
• Fensteroptionen: Glass (AR-coated), Silicon, oder N/A abhängig vom Gehäuse
• Varianten optimiert für LiDAR, OTDR, DTS, DAS und eye-safe Distanzmessung