Wellenlängenempfindlicher Fotodiode C30739ECERH-2

SiliziumUVAvalanche

Produktübersicht
Der C30739ECERH-2 ist eine kurzwellige, verstärkte Silizium-Avalanche-Photodiode (Si APD) und deckt einen spektralen Bereich von <400 nm bis >700 nm ab. Für Anwendungen in der medizinischen Bildgebung bei niedriger Lichtstärke und der Strahlungsdetektion konzipiert, bietet sie niedrige Rauschwerte, hohe Verstärkung und geringe Kapazität sowie eine verbesserte UV-Empfindlichkeit (Quantenwirkungsgrad >70% bei 430 nm). Das flache Keramikträgergehäuse ermöglicht zuverlässige Handhabung und direkte Kopplung an Szintillatorkristalle wie LSO und BGO; das nicht-magnetische Gehäuse eignet sich für medizinisch empfindliche Umgebungen.

Eigenschaften & Vorteile

• Si APD mit verstärkter UV-Empfindlichkeit für verbesserte Sensitivität bei 430 nm
• Quantenwirkungsgrad >70% bei 430 nm
• Flaches Keramikträgergehäuse für einfache Kopplung an Szintillatoren (LSO, BGO)
• Geringe Kapazität und niedriges Rauschen für Anwendungen bei geringer Lichtstärke und Timing
• Nicht-magnetisches Gehäuse kompatibel mit medizinischen Bildgebungsumgebungen

Anwendungsbereiche

• Molekulare Bildgebung (PET-Detektoren, Szintillatorkopplung)
• Geräte für die Nuklearmedizin
• Fluoreszenzdetektion und photometrische Messungen bei geringer Lichtstärke
• Detektoren in der Hochenergiephysik
• Strahlungssicherheit und Umweltüberwachung

Technische Daten

• Aktive Fläche: 5,6 x 5,6 mm
• Durchbruchspannung: ~400 V (<450 V)
• Kapazität: 60 pF
• Dunkelstrom: 1,5 nA
• Verstärkung: >100
• Rauschstrom: (nicht angegeben)
• Ansprechzeit: 2 ns
• Anstiegs-/Abfallzeit: 2 ns
• Responsivität: 26 A/W für C30739ECERH; 52 A/W für C30739ECERH-2 bei 430 nm (typische Verstärkung)
• Spektraler Rauschstrom: 0,3 pA/√Hz für C30739ECERH; 0,4 pA/√Hz für C30739ECERH-2
• Wellenlänge / Spektralbereich: typ. 400–700 nm (Abdeckung <400 nm bis >700 nm)