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Bipolarer Fototransistor VTT9814FH
SchaltSilizium

Bipolarer Fototransistor - VTT9814FH - Excelitas Technologies - PCO - Schalt / Silizium
Bipolarer Fototransistor - VTT9814FH - Excelitas Technologies - PCO - Schalt / Silizium
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Eigenschaften

Typ
bipolar
Technologie
Schalt
Weitere Eigenschaften
Silizium
Strom

Min: 0,08 mA

Max: 0,12 mA

Spannung

Min: 5 V

Max: 5 V

Beschreibung

Produktübersicht
Der VTT9814FH ist ein Silizium‑Phototransistor im flachen T 1¾‑Gehäuse mit integriertem IR‑Sperrfilter. Er liefert eine gute Reaktion im sichtbaren Spektralbereich (450–700 nm) und stellt eine RoHS‑konforme Alternative zu Cadmium‑sulfid (CdS) Fotowiderständen dar. Das Bauteil weist eine enge Lichtstromtoleranz auf, geeignet für Umgebungslichtsteuerungen rund um 50–100 fc (500–1000 lux).

Merkmale & Vorteile
  • Sichtbare Lichtantwort mit IR‑Blockierung zur Reduzierung von Infrarotstörungen
  • Niedriger Dunkelstrom für verbesserte Empfindlichkeit bei schwachem Licht
  • RoHS‑konforme Alternative zu CdS‑Fotowiderständen

Anwendungen
  • Schalten und Regelung von Straßenbeleuchtung
  • Innen-/Außenlichtsteuerung (Dämmerungsschalter)
  • Dimmung von Fahrzeugscheinwerfern
  • Kontrast- und Helligkeitsregelung von Displays
  • Energieeinsparungs‑ und Managementsysteme

Technische Daten
  • Active area = 0.192 mm²
  • Short Circuit Current = Minimum 80 µA, Maximum 120 µA at 100 fc, 2850 K
  • Dark Current = Maximum 50 nA at 5 V VCE
  • Spectral Range = 450 nm to 700 nm
  • Peak Spectral Response = 585 nm
  • Sensitivity at peak Wavelength = Typical 7 A/W
  • Angular Response = ±50 Degrees at 50% Response
  • Soldering Temperature = Maximum 260°C

Kataloge

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electronica Munich 2026
electronica Munich 2026

10-13 Nov. 2026 Munich (Deutschland) Halle B4 - Stand 302

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