Fotodiode mit Quadranten C30927EH-03

SiliziumwellenlängenempfindlichQPD

Produktbeschreibung
Der Quadrant-Silikon-Lawinenphotodiode C30927EH-03 verfügt über eine doppelt diffusierte "reach-through"-Struktur mit einem nutzbaren Durchmesser von 1,55 mm. Das Quadrantendesign nutzt eine gemeinsame Avalanche‑Junction; die Trennung der Quadranten erfolgt durch Segmentierung der lichtzutretenden p+-Fläche gegenüber der Junction. Dadurch gibt es keinen toten Raum zwischen den Elementen und die On‑Axis‑Empfindlichkeit bleibt erhalten. Das Bauteil ist für den Betrieb bei 800 nm optimiert und liefert hohe Responsivität und schnelle Ansprechzeiten bei Einsatz innerhalb von ±50 nm um die Nenndistanz.

Hauptmerkmale

• Voller Winkel für vollständig beleuchtete photosensitive Fläche größer als 90°
• Hoher Quantenwirkungsgrad, optimiert für 800 nm
• Schnelle Zeitantwort (typ. Anstiegs/Abfallzeit: 3 ns)
• Große aktive Fläche: 1,77 mm²
• Hermetisch dichtes, flaches TO-8-Gehäuse

Anwendungen

• Tracking
• Ausrichtung
• Freund-oder-Feind-Erkennung

Technische Daten / Spezifikationen

• Durchbruchspannungsbereich (V): 350 bis 485
• Typische Durchbruchspannung (V): 425
• Typische Verstärkung (M): 100
• Typischer Temperaturkoeffizient für konstante Verstärkung (V/°C): 2,4
• Minimale Responsivität bei 800 nm (A/W): 45
• Typische Responsivität bei 800 nm (A/W): 55
• Typischer Gesamtdunkelstrom (nA): 100
• Maximaler Gesamtdunkelstrom (nA): 200
• Typischer Rauschstrom pro Element (pA/√Hz): 1,0
• Maximaler Rauschstrom pro Element (pA/√Hz): 1,5
• Typische Gesamtkapazität aller Quadranten (pF): 3
• Maximale Gesamtkapazität aller Quadranten (pF): 5
• Maximaler Serienwiderstand (Ω): 15
• Typische Anstiegs- und Abfallzeit (ns): 3
• Lagerungstemperatur (°C): -60 bis 120
• Betriebstemperatur (°C): -40 bis 60