Wellenlängenempfindlicher Fotodiode C30737PH-500-80N

LIDARAvalancheInfrarot

Produktübersicht:
Die C30737PH-500-80N Silizium-Avalanche-Fotodiode (APD) verfügt über einen aktiven Durchmesser von 500 µm und eine verstärkte Empfindlichkeit bei 800 nm im Plastic T 1¾ Durchsteckgehäuse. Entwickelt für schnelle Ansprechzeiten und rauscharmes Detektieren in kompakten, kostengünstigen Modulen.

Hauptmerkmale:

• Optimierte Empfindlichkeit im Bereich 500–1000 nm mit Peak bei 800 nm
• Niedriges Rauschen und schnelle Anstiegszeiten, Frequenzgang > 1,3 GHz
• Aktiver Durchmesser 500 µm für effiziente Lichtsammlung
• Plastic T 1¾ Durchsteckgehäuse (PH-Option)

Anwendungen:

• LiDAR-Systeme
• Laser-Entfernungsmessung und Telemetrie
• Sicherheits- und Scansysteme
• Kostensensible Photodetektion-Anwendungen, die schnelle, empfindliche Detektoren erfordern

Technische Daten:

• Aktiver Durchmesser: 500 µm
• Wellenlänge der Spitzenempfindlichkeit: 800 nm
• Durchbruchspannung (Vbd): 120–210 V (Binning möglich)
• Temperaturkoeffizient der Betriebsspannung für konstanten Gain: 0,5 V/°C
• Verstärkung: 100 @ 800 nm
• Empfindlichkeit: 50 A/W bei 800 nm
• Dunkelstrom (Id): <1 nA (typ. 0,1 nA)
• Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
• Kapazität: 2 pF
• Anstiegs-/Abfallzeit: 0,3 ns (Rload = 50 Ω)
• Grenzfrequenz: 1,3 GHz
• Lagerungstemperatur: -50 °C bis +100 °C
• Betriebstemperatur: -40 °C bis +85 °C
• Gehäuse: Plastic T 1¾ Durchsteckgehäuse