Lawinenfotodioden-Modul (APD) C30659-UV-1

Übersicht
Der C30659-UV-1 vereint einen für UV optimierten Silizium-Avalanche-Photodioden (Si APD) und einen hybriden Vorverstärker in einem hermetisch verschlossenen TO-8-Gehäuse und ermöglicht so extrem rauscharme Detektion in UV-empfindlichen Anwendungen.

Details
Die UV-optimierten Si APDs bieten gute Empfindlichkeit zwischen 400 nm und 950 nm sowie schnelle Anstiegs- und Abfallzeiten über das gesamte Spektrum. Der Vorverstärker des Moduls verwendet ein sehr niederrauschendes GaAs-FET-Frontend, das für höhere Transimpedanz als die Standardserie C30950 ausgelegt ist und die Signalverstärkung bei Messungen mit schwachem Licht verbessert.

Technische Merkmale / Spezifikationen

• Systembandbreite: 50 MHz
• Ultraniedriger Äquivalenter Rauschleistungswert (NEP): 10 fW/√Hz bei 500 nm
• Sprektrale Empfindlichkeitsbereich: 400 bis 950 nm
• Typischer Stromverbrauch: 150 mW
• Betriebsspannungen des Verstärkers: ±5 V
• 50 Ω AC-Lastfähigkeit (AC-kopplung)
• Hermetisch verschlossenes TO-8-Gehäuse
• Hohe Zuverlässigkeit