Infrarot-Fotodiode C30737PH-500-90N

wellenlängenempfindlichAvalancheSilizium

Produktüberblick
Die Silizium-Avalanche-Photodiode C30737PH-500-90N (Si APD) verfügt über einen aktiven Durchmesser von 500 µm und ist für eine verstärkte Empfindlichkeit bei 900 nm optimiert. Im Kunststoffgehäuse T 1¾ (durchsteckbar) bietet das Bauteil hohe Empfindlichkeit und schnelle Zeitantwort für optische Detektionsanwendungen.

Hauptmerkmale

• Hohe Empfindlichkeit im Bereich 500–1000 nm, mit Peak bei ca. 900 nm
• Niedriges Rauschen und sehr schnelle Anstiegszeiten; Frequenzgang über 380 MHz
• Aktiver Durchmesser 500 µm, optimiert für nahes Infrarot
• Kunststoffgehäuse T 1¾ (PH-Option)

Anwendungen

• LiDAR-Systeme
• Laserentfernungsmessung
• Sicherheits- und Scan-Anwendungen
• Kostensensible Anwendungen mit hohen Anforderungen an die Photodetektion

Spezifikationen

• Aktiver Durchmesser: 500 µm
• Wellenlänge der Spitzenempfindlichkeit: 900 nm
• Durchbruchspannung Vbd: 180–260 V (Binning verfügbar)
• Temperaturkoeffizient von Vop für konstantes M: 1,3 V/°C
• Verstärkung: 100 @ 900 nm
• Responsivität: 60 A/W bei 800 nm
• Dunkelstrom Id: <1 nA
• Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
• Kapazität: 1 pF
• Anstiegs-/Abfallzeit: 0,9 ns (Rload = 50 Ω)
• Sperrfrequenz: 380 MHz
• Lagerungstemperatur: -50 °C bis +100 °C
• Betriebstemperatur: -40 °C bis +85 °C
• Gehäuse: Kunststoff T 1¾ durchsteckbar

Eigenschaften / Technische Daten

• Aktiver Durchmesser: 500 µm
• Wellenlänge der Spitzenempfindlichkeit: 900 nm
• Durchbruchspannung Vbd: 180–260 V (Binning verfügbar)
• Temperaturkoeffizient von Vop für konstantes M: 1,3 V/°C
• Verstärkung: 100 @ 900 nm
• Responsivität: 60 A/W bei 800 nm
• Dunkelstrom Id: <1 nA
• Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
• Kapazität: 1 pF
• Anstiegs-/Abfallzeit: 0,9 ns (Rload = 50 Ω)
• Sperrfrequenz: 380 MHz
• Lagerungstemperatur: -50 °C bis +100 °C
• Betriebstemperatur: -40 °C bis +85 °C
• Gehäuse: Kunststoff T 1¾ durchsteckbar