Wellenlängenempfindlicher Fotodiode C30737LH-500-92N

AvalancheLIDARSilizium

Produktübersicht
Der C30737LH-500-92N ist eine Silizium-Lawinenphotodiode (Si APD) mit einem aktiven Durchmesser von 500 µm, untergebracht in einem keramischen Trägergehäuse ohne Anschlussbeinchen (LCC) und einer 905 nm Bandpass-Optik. Die Empfindlichkeit ist in der Nähe von 900 nm optimiert. Geeignet für photonische Detektion in Hochgeschwindigkeits-Optiksystemen wie LiDAR und Entfernungsmessung.

Wesentliche Merkmale

• Aktiver Durchmesser: 500 µm
• 905 nm Bandpass-Filter für schmalbandige Detektion
• Optimierte Empfindlichkeit um 900 nm (60 A/W bei 900 nm)
• Niedriges Rauschen: Rauschstrom ≈ 0,1 pA/√Hz
• Schnelle Zeitantwort: Anstiegs-/Abfallzeit 0,9 ns (Rload = 50 Ω), Grenzfrequenz ≈ 380 MHz
• Gehäuse: keramischer Träger ohne Anschlussbeinchen (LCC) mit 3×3 mm Glasfenster

Anwendungen

• LiDAR sowie Luft- und Bodenentfernungsmessung
• Laser-Entfernungsmesser und Time-of-Flight-Sensoren
• Sicherheits- und Scan-Systeme
• Kosteneffiziente photonische Detektionslösungen mit hoher Geschwindigkeit

Spezifikationen
Aktiver Durchmesser: 500 µm
Wellenlänge der Spitzenempfindlichkeit: 905 nm
Optisches Fenster / Filter: 905 nm Bandpass
Durchbruchspannung (Vbd): 180–260 V (Binning verfügbar)
Temperaturkoeffizient von Vop (konstantes M): 1,3 V/°C
Gain: 100 bei 900 nm
Responsivität: 60 A/W bei 900 nm
Dunkelstrom (Id): < 1,0 nA (typ. 0,1 nA)
Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
Kapazität: 1 pF
Anstiegs-/Abfallzeit: 0,9 ns (Rload = 50 Ω)
Grenzfrequenz: 380 MHz
Lagerungstemperatur: -50 °C bis +100 °C
Betriebstemperatur: -40 °C bis +85 °C
Gehäuse: 3×3 mm Glasfenster im keramischen Trägergehäuse ohne Anschlussbeinchen (LCC)

Technische Daten

• Aktiver Durchmesser: 500 µm
• Wellenlänge der Spitzenempfindlichkeit: 905 nm
• Durchbruchspannung (Vbd): 180–260 V (Binning verfügbar)
• Temperaturkoeffizient von Vop für konstantes M: 1,3 V/°C
• Gain: 100 @ 900 nm
• Responsivität: 60 A/W bei 900 nm
• Dunkelstrom (Id): < 1,0 nA (typ. 0,1 nA)
• Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
• Kapazität: 1 pF
• Anstiegs-/Abfallzeit: 0,9 ns (Rload = 50 Ω)
• Grenzfrequenz: 380 MHz
• Lagerungstemperatur: -50 °C bis +100 °C
• Betriebstemperatur: -40 °C bis +85 °C
• Gehäuse: 3×3 mm Glasfenster, keramisches Trägergehäuse ohne Anschlussbeinchen (LCC)
• Optisches Fenster/Filter: 905 nm Bandpass